[发明专利]晶圆制备方法

权利要求书

1.一种晶圆制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

提供晶圆，在所述晶圆上形成半导体器件和金属互连层结构，并根据所述金属互连层结构包含的金属层的数量确定光刻洗边工艺的洗边宽度，以使所述光刻洗边工艺的洗边宽度随着所述金属层的增加而减小；

对所述晶圆执行晶边修剪工艺。

2.如权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，所述根据所述金属互连层结构包含的金属层的数量确定光刻洗边工艺的洗边宽度的方法包括：当金属层数量不超过4层时，所述洗边宽度为2.2mm～2.5mm；当金属层数量为5层或6层时，所述洗边宽度为1.8mm～2.2mm；当金属层数量超过6层时，所述洗边宽度为1.2mm～1.8mm。

3.如权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，对所述晶圆执行晶边修剪工艺的步骤包括：采用物理机械研磨去除所述晶圆边缘部分厚度的结构层。

4.如权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，所述晶边修剪工艺的修剪宽度大于所述洗边宽度。

5.如权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，所述晶边修剪工艺的修剪宽度不超过3mm。

6.如权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在对所述晶圆执行晶边修剪工艺的步骤之后，所述晶圆制备方法还包括晶圆键合步骤，所述晶圆键合步骤具体包括：

提供衬片；

对所述晶圆与所述衬片进行晶圆键合工艺，以将所述晶圆与所述衬片键合。

7.如权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，所述金属互连结构包括若干层金属层、相邻所述金属层之间的介质层以及连接若干层金属层的通孔层。

8.如权利要求7所述的晶圆制备方法，其特征在于，所述金属层包括铜金属层。

9.如权利要求7所述的晶圆制备方法，其特征在于，所述介质层包括二氧化硅层。

10.如权利要求7所述的晶圆制备方法，其特征在于，所述通孔层包括钨通孔层。