[发明专利]太阳电池及太阳电池的制备方法

说明书

本公开提供了一种太阳电池，包括：衬底、第一发射极、第二发射极、绝缘间隔结构、第一电极和第二电极；衬底具有相对设置的正面和背面；第一发射极和第二发射极设置于衬底的背面，第一电极设置于第一发射极远离衬底的一侧且电连接于第一发射极，第二电极设置于第二发射极远离衬底的一侧且电连接于第二发射极；绝缘间隔结构设置于第一发射极与第二发射极之间，且第一发射极与第二发射极通过绝缘间隔结构相间隔。绝缘间隔结构将第一发射极与第二发射极进行有效地间隔，避免载流子在第一发射极与第二发射极的界面上的复合，因而能够有效降低太阳电池的反向漏电，提高太阳电池的效率。

技术领域

本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及太阳电池的制备方法。

背景技术

太阳电池是一种能够将太阳能直接转化为电能的器件，由于太阳能具有近乎无限且清洁的特点，因此太阳电池也极具发展潜力和应用前景。

太阳电池具有接收太阳光的正面和与之相对的背面。通常，太阳电池的正面具有正电极、背面具有背电极，光生载流子中的电子和空穴分别从正面和背面导出形成电流。然而，位于正面的正电极会遮挡进入太阳电池的部分太阳光，降低太阳电池对于光线的吸收效率。

全背面接触(Interdigitated back contact，IBC)太阳电池是一种高效的电池结构。其将电极均设置于背面以提高太阳电池的效率。然而，目前量产的全背面接触太阳电池中存在反向漏电超标的问题，影响太阳电池的效率。

发明内容

基于此，有必要针对上述背景技术中的问题，提供一种太阳电池，以降低太阳电池的反向漏电，提高太阳电池的效率。

根据本公开的一些实施例，提供了一种太阳电池，其包括：衬底、第一发射极、第二发射极、绝缘间隔结构、第一电极和第二电极；

所述衬底具有相对设置的正面和背面；所述第一发射极和所述第二发射极设置于所述衬底的背面，所述第一发射极具有第一掺杂类型，所述第二发射极具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，所述第一电极设置于所述第一发射极远离所述衬底的一侧且电连接于所述第一发射极，所述第二电极设置于所述第二发射极远离所述衬底的一侧且电连接于所述第二发射极；

所述绝缘间隔结构设置于所述第一发射极与所述第二发射极之间，且所述第一发射极与所述第二发射极通过所述绝缘间隔结构相间隔。

在本公开的一些实施例中，所述绝缘间隔结构呈环状，所述第一发射极设置于所述绝缘间隔结构的环外区域，所述第二发射极设置于所述绝缘间隔结构的环内区域。

在本公开的一些实施例中，还包括掺杂剩余部，所述掺杂剩余部的材料和掺杂类型均与所述第一发射极的材料相同，所述掺杂剩余部设置于绝缘间隔结构的环内区域，且位于所述第二发射极与所述绝缘间隔结构之间。

在本公开的一些实施例中，所述绝缘间隔结构包括环状的间隔槽；可选地，所述衬底的背面从所述间隔槽中露出。

在本公开的一些实施例中，所述间隔槽的槽宽为1μm-100μm。

在本公开的一些实施例中，所述绝缘间隔结构还包括设置于所述间隔槽中的绝缘部。

在本公开的一些实施例中，还包括背钝化层，所述背钝化层设置于所述第一发射极远离所述衬底的一侧以及所述第二发射极远离所述衬底的一侧；可选地，所述背钝化层与所述绝缘部一体成型。

在本公开的一些实施例中，还包括设置于所述第一发射极远离所述衬底的表面上的钝化接触结构，所述钝化接触结构包括隧穿氧化层和多晶硅层，所述隧穿氧化层和所述多晶硅层依次层叠设置于所述第一发射极上，所述多晶硅层具有所述第一掺杂类型。

在本公开的一些实施例中，所述隧穿氧化层的厚度为1nm～2nm；和/或，

所述多晶硅层的厚度为10nm～300nm。