[发明专利]太阳电池及太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：衬底、第一发射极、第二发射极、绝缘间隔结构、第一电极和第二电极；

所述衬底具有相对设置的正面和背面；所述第一发射极和所述第二发射极设置于所述衬底的背面，所述第一发射极具有第一掺杂类型，所述第二发射极具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，所述第一电极设置于所述第一发射极远离所述衬底的一侧且电连接于所述第一发射极，所述第二电极设置于所述第二发射极远离所述衬底的一侧且电连接于所述第二发射极；

所述绝缘间隔结构设置于所述第一发射极与所述第二发射极之间，且所述第一发射极与所述第二发射极通过所述绝缘间隔结构相间隔。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘间隔结构呈环状，所述第一发射极设置于所述绝缘间隔结构的环外区域，所述第二发射极设置于所述绝缘间隔结构的环内区域。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，还包括掺杂剩余部，所述掺杂剩余部的材料和掺杂类型均与所述第一发射极的材料相同，所述掺杂剩余部设置于绝缘间隔结构的环内区域，且位于所述第二发射极与所述绝缘间隔结构之间。

4.根据权利要求1～3任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘间隔结构包括环状的间隔槽；可选地，所述衬底的背面从所述间隔槽中露出。

5.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述间隔槽的槽宽为1μm-100μm。

6.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘间隔结构还包括设置于所述间隔槽中的绝缘部。

7.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，还包括背钝化层，所述背钝化层设置于所述第一发射极远离所述衬底的一侧以及所述第二发射极远离所述衬底的一侧；可选地，所述背钝化层与所述绝缘部一体成型。

8.根据权利要求1～7任一项所述的太阳电池，其特征在于，还包括设置于所述第一发射极远离所述衬底的表面上的钝化接触结构，所述钝化接触结构包括隧穿氧化层和多晶硅层，所述隧穿氧化层和所述多晶硅层依次层叠设置于所述第一发射极上，所述多晶硅层具有所述第一掺杂类型。

9.根据权利要求8所述的太阳电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1nm～2nm；和/或，

所述多晶硅层的厚度为10nm～300nm。

10.根据权利要求8所述的太阳电池，其特征在于，所述衬底的背面具有第一区域和位于所述第一区域之外的第二区域，所述钝化接触结构设置于所述第一区域上且覆盖所述第一区域，所述绝缘间隔结构设置于所述第二区域上。

11.根据权利要求10所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘间隔结构和所述第二发射极均有多个，所述第二电极包括连接部和多个电极部，多个所述电极部分别接触于多个所述第二发射极，所述电极部设置于所述绝缘间隔结构的环内区域上，所述连接部连接于相邻的所述电极部，多个所述电极部和所述连接部均设置于所述第二区域中。

12.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底具有相对设置的正面和背面；

在所述衬底的背面制备覆盖所述衬底的第一掺杂层，所述第一掺杂层具有第一掺杂类型；

在所述第一掺杂层上制备绝缘间隔结构，位于所述绝缘间隔结构一侧的所述第一掺杂层为第一发射极；

在所述绝缘间隔结构的另一侧制备第二发射极，所述第一发射极与所述第二发射极之间通过所述绝缘间隔结构相间隔，所述第二发射极具有第二掺杂类型；以及，

制备电连接于所述第一发射极的第一电极，制备电连接于所述第二发射极的第二电极。