[发明专利]一种大尺寸细晶钨硅合金靶材制备方法

权利要求书

1.一种大尺寸细晶钨硅合金靶材的制备方法，包括如下步骤：

(1)将钨粉和硅粉采用真空高速混料机进行混合，得到混粉；

(2)将步骤(1)得到的混粉进行热压烧结，得到钨硅预制靶坯；

(3)将步骤(2)得到的所述的钨硅预制靶坯进行热等静压处理，得到钨硅合金靶坯。

2.如权利要求1所述的制备方法，在步骤(1)中，钨粉与硅粉的质量比为70:30，所述的钨粉的粒度＜100μm，所述的硅粉的粒度＜45μm。

3.如权利要求1所述的制备方法，在步骤(1)中，所述的混合采用真空气氛保护进行干混，所述的真空气氛保护混合时间5-10h，真空度＜100Pa。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，在步骤(2)，所述的热压烧结起始真空度＜10Pa。

5.如权利要求4所述的制备方法，所述的热压烧结包括：依次进行升温的第一目标温度、第二目标温度、保温保压和冷却，得到钨硅合金预制靶坯。

6.如权利要求5所述的制备方法，所述的第一目标温度为1250-1300℃，升温速率为15-20℃/min，保温时间为3-8h；所述的第二目标温度为1320-1380℃，升温速率为5-15℃/min，保温时间为0.5-1h。

7.如权利要求6所述的制备方法，所述的热压烧结的温度与所述的第二目标温度相同，所述的热压烧结的压力为20-30MPa，保温保压时间为0.5-1h。

8.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，在步骤(2)，所述热压烧结结束后随炉冷却，所述随炉冷却中保持高真空度，所述高真空度保持在真空度＜1Pa。

9.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，在步骤(3)，所述的热等静压处理的温度为1250-1300℃，升温速率10-15℃/min。

10.如权利要求9所述的制备方法，所述的热等静压处理的温度与所述的第一目标温度相同，所述的热等静压烧处理的压力为130-150MPa，保温保压时间为1-2h。