[发明专利]静电卡盘电源和半导体工艺设备在审
| 申请号: | 202310298060.5 | 申请日: | 2023-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN116436286A | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
| 发明(设计)人: | 王松涛;田丰;李玉站 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/00 | 分类号: | H02M3/00;H02M1/00;H02M3/335;H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 杨柳苑 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 卡盘 电源 半导体 工艺设备 | ||
1.一种静电卡盘电源,应用于半导体工艺设备,其特征在于,所述静电卡盘电源用于向所述半导体工艺设备的静电卡盘的吸附电极供电,所述静电卡盘电源包括:
控制电压生成电路,用于根据用户设置值生成控制电压;
升压电路,用于对所述控制电压进行升压以得到高压电压;
参考电压引入电路,用于提供直流自偏电压,所述直流自偏压为所述半导体工艺设备执行工艺时产生的等离子体鞘层与所述静电卡盘上的晶圆之间的电压差;
正极电压生成电路,用于将所述高压电压与所述直流自偏电压叠加,以生成正极电压;
负极电压生成电路,用于将所述高压电压反向,并与所述直流自偏电压叠加,以生成负极电压。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘电源,其特征在于,所述升压电路包括第一变压器,所述第一变压器主边与所述控制电压生成电路连接,所述第一变压器副边与所述正极电压生成电路和所述负极电压生成电路连接。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘电源,其特征在于,所述控制电压生成电路包括:
第一方波电压生成电路,用于根据用户设置值生成第一方波电压信号,所述第一方波电压信号输入至所述第一变压器主边。
4.根据权利要求3所述的静电卡盘电源,其特征在于,所述第一方波电压生成电路包括:
第一脉宽调制电路,用于根据用户设置值生成第一脉宽调制信号;
第一控制开关,所述第一控制开关的控制端与所述第一脉宽调制电路连接,所述第一控制开关的第一端与所述第一变压器主边第一抽头、所述第一变压器主边第二抽头连接,在所述第一脉宽调制信号的触发下,切换开关状态,所述第一控制开关的第二端接地;
第一电阻,所述第一电阻一端与预设电源、所述第一变压器主边第三抽头、所述第一变压器主边第四抽头连接,所述第一变压器主边第一抽头与所述第一变压器主边第三抽头相对应,所述第一变压器主边第二抽头与所述第一变压器主边第四抽头相对应;
第一电容,与所述第一电阻并联连接;
第一二极管,所述第一二极管负极与所述第一电阻另一端连接,所述第二二极管正极与所述第一控制开关的第一端连接。
5.根据权利要求2所述的静电卡盘电源,其特征在于,所述正极电压生成电路包括:
第二电容,所述第二电容一端与所述第一变压器副边第一抽头连接;
第二二极管,所述第二二极管负极与所述第二电容另一端连接;
第三二极管,所述第三二极管正极与所述第二电容另一端、所述第二二极管负极连接;
第三电容,所述第三电容一端与所述第二二极管正极、所述第一变压器副边第二抽头连接以及所述参考电压引入电路连接,所述第三电容另一端与所述第二二极管正极连接,并作为所述正极电压生成电路的输出端以输出所述正极电压;
第二电阻,与所述第三电容并联连接;和/或
所述负极电压生成电路包括:
第四电容,所述第四电容正极与所述第一变压器副边第一抽头连接;
第四二极管,所述第四二极管正极与所述第四电容负极连接;
第五二极管,所述第五二极管负极与所述第四电容负极、所述第四二极管正极连接;
第五电容,所述第五电容一端与所述第四二极管负极、所述参考电压引入电路连接,所述第五电容另一端与所述第五二极管正极连接,并作为所述负极电压生成电路的输出端以输出所述负极电压;
第三电阻,所述第三电阻一端与所述第五二极管正极、所述参考电压引入电路连接,所述第三电阻另一端与所述第五电容正极、所述第四二极管负极、所述第一变压器副边第二抽头连接。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的静电卡盘电源,其特征在于,所述参考电压引入电路包括:
第二方波电压生成电路,用于根据直流自偏压检测电路的检测值生成第二方波电压信号;
第二变压器,其主边与所述第二方波电压生成电路连接;
参考电压输出电路,与所述第二变压器的副边连接,以生成所述直流自偏电压。
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