[发明专利]改善器件高电阻区堆叠膜层的针孔缺陷的方法在审
| 申请号： | 202310288259.X | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116206951A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 罗志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 器件 电阻 堆叠 针孔 缺陷 方法 | ||
1.一种改善器件高电阻区堆叠膜层的针孔缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S1，提供一衬底，在所述衬底上形成一堆叠膜层，所述堆叠膜层的最上层为硬掩模氮化硅层；
步骤S2，对所述硬掩模氮化硅层进行第一预处理，以提高所述硬掩模氮化硅层的氮含量；
步骤S3，对所述硬掩模氮化硅层进行第二预处理，以在所述硬掩模氮化硅层的上部形成钝化层薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预处理使用氮气对所述硬掩模氮化硅层进行低含量的氮掺杂，以提高所述硬掩模氮化硅层的氮含量。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预处理的工艺参数为：所述氮气的流量为9000sccm～10000sccm，高频功率为300W～350W，低频功率为330W～400W，压力为3Torr～4Torr，处理时间为10s～30s。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二预处理使用一氧化二氮对所述硬掩模氮化硅层的表面进行氧化处理，以在所述硬掩模氮化硅层的上部形成钝化层薄膜。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二预处理的工艺参数为：所述一氧化二氮的流量为9000sccm～10000sccm，高频功率为300W～400W，低频功率为0W，压力为2Torr～2.5Torr，处理时间为15s～30s。
6.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述第二预处理不改变所述硬掩模氮化硅层的厚度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过实施所述步骤S2和所述步骤S3来提高所述硬掩模氮化硅层的密度。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过实施所述步骤S2来降低湿法清洗对所述硬掩模氮化硅层的湿法腐蚀速率。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠膜层中所述硬掩模氮化硅层的下方包括自下而上层叠的盖帽层和金属氮化物层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属氮化物层的材料为氮化钛。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310288259.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种气动防火气密蝶阀
- 下一篇：一种丹参酮纳米凝胶及其制备方法和应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
