[发明专利]一种非接触式方阻测量传感器

说明书

本发明提出了一种非接触式方阻测量传感器，涉及方阻测量传感器领域；包括监测探头和信号处理电路，所述监测探头与所述信号处理电路连接；所述监测探头，用于在待测硅片移动的过程中连续获得振荡信号，并将所述振荡信号实时传输至所述信号处理电路；所述信号处理电路，用于根据振荡信号获得电压信号，并根据所述电压信号获得所述振荡信号对应的目标方阻值；还包括辅助探头，所述辅助探头，用于增强从待测硅片在移动的过程中获取的振荡信号的信号强度；能够在线扫描流水线上的每一张硅片的方阻，从而利于产生整个硅片一系列的数据，便于供工艺人员分析监视工艺参数或由硅片机分选出不同规格方阻的硅片分类。

技术领域

本发明涉及方阻测量传感器领域，具体而言，涉及一种非接触式方阻测量传感器。

背景技术

目前太阳能电池片在生产中，判定扩散是否优良均是通过测试硅片表面方阻来体现，监测方块电阻的方法多为接触式四探针(4PP)，四探针测量装置是一种接触式测量，接触式测试设备均需要进行取片、测片和放片，效率低，期间不免有摩擦、破损和污染等不良现象；并且目前测试均是抽检硅片，对于未监测到的硅片，存在方阻异常流入下道工序的可能；另一方面，方阻的接触式四点探针测量还存在测量速度慢的问题，每测量一个点需要较多时间，并且每张硅片上测量点数较少，并不能反映整个硅片上的方阻的多个数据记录曲线；接触式四探针测量方式的局限性导致了缺乏对硅片表面方阻变化数据的记录分析，丢失了生产过程中硅片特性变化的重要信息，不利于通过数据分析对工艺参数进行调整或对硅片进行分类。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非接触式方阻测量传感器，能够在线扫描流水线上的每一张硅片的方阻，从而利于产生整个硅片一系列的数据，便于供工艺人员分析监视工艺参数或由硅片机分选出不同规格方阻的硅片分类。

本发明的实施例是这样实现的：

本申请实施例提供了一种非接触式方阻测量传感器，包括监测探头、信号处理电路和辅助探头，监测探头与信号处理电路连接；

监测探头，用于获取待测硅片在移动过程中的多个振荡信号，并将振荡信号实时传输至信号处理电路；

辅助探头，用于增强每个振荡信号的信号强度；

信号处理电路，用于接收信号强度增强后的振荡信号，根据信号强度增强后的振荡信号获得电压信号，并根据电压信号获得振荡信号对应的目标方阻值。

本发明的有益效果是：通过监测探头获取待测硅片移动的过程中不同的振荡信号，信号处理电路连接再将振荡信号放大、转化，从而得到与振荡信号对应的目标方阻值，达到监测待测硅片的方阻的目的，并且根据连续获得的振荡信号，可以获得整个待测硅片的一系列方阻数据，便于供工艺人员分析监视工艺参数或由硅片机分选出不同规格方阻的硅片分类；再通过设置的辅助探头可大大增强监测探头的信号变化强度，提高了整个方阻传感器的灵敏度。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，上述监测探头包括振荡线圈L1和运放A1，运放A1的第2引脚与振荡线圈L1之间还连接有电阻R8，振荡线圈L1的一端与电阻R8的一端之间还连接有电容C7，电容C7的另一端接地；振荡线圈L1的另一端连接有三极管Q3的C极，三极管Q3的e极连接电容C8的一端，电容C8的另一端连接有三极管Q4的e极，三极管Q4的c极接地，且三极管Q4的b极和三极管Q3的b极分别连接电阻R7的两端，三极管Q3的b极还分别连接电阻R5的一端和电阻R6的一端，电阻R5的另一端接地，电阻R6的另一端连接-12v；