[发明专利]一种减薄设备

说明书

本发明公开了一种减薄设备，包括：设备前端模块，用于实现晶圆的进出，所述设备前端模块设置在所述减薄设备的前端；磨削模块，用于对至少两片晶圆同时进行粗磨削和/或精磨削，所述磨削模块设置在所述减薄设备的末端；抛光模块，用于在完成磨削之后对至少两片晶圆同时进行化学机械抛光，所述抛光模块邻接所述磨削模块设置；两个对称分布的清洗模块，位于抛光模块和设备前端模块之间；两个对称分布的传输模块，分别位于抛光模块的两侧。

技术领域

本发明涉及晶圆超精密磨削技术领域，尤其涉及一种减薄设备。

背景技术

目前半导体行业采用在半导体晶圆的表面上形成有IC（Integrated Circuit，集成电路）或LSI（Large Scale Integration，大规模集成电路）等电子电路来制造半导体芯片。晶圆在被分割为半导体芯片之前，通过磨削减薄加工装置来磨削晶圆的背面，该背面是指形成有电子电路的器件面的相反面，从而将晶圆减薄至预定的厚度。

在现有晶圆减薄设备中，常采用的晶圆处理流程方式为，单片晶圆依次经过粗磨、精磨、化学机械抛光、清洗等环节进行加工，晶圆在这些环节当中仅能串行流片，无法并行加工；因此该工艺过程的效率存在极限，无法进一步提高。

发明内容

本发明实施例提供了一种减薄设备，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明实施例提供了一种减薄设备，包括：

设备前端模块，用于实现晶圆的进出，所述设备前端模块设置在所述减薄设备的前端；

磨削模块，用于对至少两片晶圆同时进行粗磨削和/或精磨削，所述磨削模块设置在所述减薄设备的末端；

抛光模块，用于在完成磨削之后对至少两片晶圆同时进行化学机械抛光，所述抛光模块邻接所述磨削模块设置；

两个对称分布的清洗模块，位于抛光模块和设备前端模块之间；

两个对称分布的传输模块，分别位于抛光模块的两侧。

在一个实施例中，所述磨削模块包括基座、安装在基座上的工作台、在工作台上均匀分布的6个固定件以及4个磨削件。

在一个实施例中，两个所述磨削件用于执行粗磨削，另外两个所述磨削件用于执行精磨削。

在一个实施例中，用于安装磨削件的支撑座位于磨削模块的边缘区域，或者，用于安装磨削件的支撑座位于磨削模块的中央区域。

在一个实施例中，所述抛光模块包括2个存片部、一抛光盘、一粘接在抛光盘上的抛光垫、2个吸附晶圆并带动晶圆旋转的承载头、一修整抛光垫的修整器以及一向抛光垫表面提供抛光液的供液部。

在一个实施例中，两个所述传输模块位于减薄设备的边缘，沿设备长度方向平行布置。

在一个实施例中，所述传输模块包括第一传输组件和第二传输组件，第一传输组件位于靠近设备前端模块的位置，第二传输组件位于靠近磨削模块的位置，第一传输组件用于在第二传输组件、抛光模块、清洗模块和设备前端模块之间传输晶圆，第二传输组件用于在磨削模块、抛光模块和第一传输组件之间传输晶圆。

在一个实施例中，所述第一传输组件包括前端机械手和缓存部。

在一个实施例中，所述第二传输组件包括后端机械手。

在一个实施例中，所述清洗模块包括沿所述减薄设备的宽度方向相邻设置的刷洗装置和干燥装置。

本发明实施例的有益效果包括：能够实现并行流片，提高生产效率。

附图说明

通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本发明的保护范围，其中：

图1示出了本发明一实施例提供的减薄设备；