[发明专利]一种氮化铝陶瓷造粒粉及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310252224.0 申请日: 2023-03-16
公开(公告)号: CN116253571A 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 李丽霞;孙伟 申请(专利权)人: 无锡海古德新技术有限公司
主分类号: C04B35/581 分类号: C04B35/581;C04B35/634;C04B35/632
代理公司: 无锡佳信专利代理事务所(普通合伙) 32505 代理人: 宋亚超
地址: 214000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 陶瓷 造粒粉 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种氮化铝陶瓷造粒粉及其制备方法。其重量百分比组分为3~5wt%的Ysubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;粉体、0.1~0.5wt%的Alsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;粉体、30~50wt%的氧含量<0.8%的AlN粉体、0.1~0.2wt%的鱼油、2~4wt%的聚乙烯醇缩丁醛树脂、1~3wt%的丙烯酸树脂、0.1~0.3wt%的有机硅聚醚、40~50wt%的无水酒精溶剂。本发明通过设计合理的固液比例,保证混合浆料具有合适的粘度,在离心雾化器中雾化时,转盘可以使料浆具备相应的动能,形成液滴直径符合要求的雾滴。在干燥塔进风口、出风口处设置合适的温度,保证雾滴干燥时温度不会过低或过高,保证雾滴在下落过程中从外而内均匀干燥,形成规则球状颗粒。

技术领域:

本发明属于氮化铝陶瓷技术领域,特别涉及一种氮化铝陶瓷造粒粉及其制备方法。

背景技术:

氮化铝(AlN)是一种新型的电子陶瓷材料,因其具热导率高、绝缘性能和介电性能优良及无磁、与硅材料相匹配的热膨胀系数、光传输特性好、无毒等显著的综合优点,能够有效的满足大电压、高电流,高绝缘性的要求,并且具有良好的高频特性,是目前世界公认的半导体功率器件、集成电路芯片等最理想的封装、散热材料,能够较好的满足高频、微波、5G领域、图像显示、传输、存储和红外线窗口、轨道交通、智能电网、新能源汽车、工业控制等的使用要求。

致密化的氮化铝陶瓷的烧结制备一直是研究的热点,因为氮化铝是一种共价键材料,导致其难以固相烧结,必须加入烧结助剂通过液相作为传质媒介促进其致密化烧结。目前氮化铝陶瓷基板主要是通过流延法进行制备,主要适用于薄片材料的成型,但对于5mm及以上的氮化铝陶瓷结构件产品,需要采用干压成型的方式进行制备,此方法对粉体的形貌、粒径分布、流动性、松装密度等均提出了更高的要求。

目前生产氮化铝陶瓷造粒粉工艺中,料浆中固液比例存在缺陷,料浆中固含量增加时,料浆动能减少粘度高,在雾化时的液滴直径变大,不利于雾化造粒。此外干燥塔进风口、出风口温度设置不合理,进风口、出风口温度设置过低,会导致雾滴干燥不完全,出现造粒粉团聚现象;进风口、出风口温度设置过高,会导致雾滴表面干燥过快,表面迅速形成硬壳,从而阻碍了雾滴的正常收缩,最终得到中空的不规则造粒粉。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容:

本发明的目的在于提供一种氮化铝陶瓷造粒粉及其制备方法,,从而克服上述现有技术中的缺陷。

为实现上述目的,本发明提供了一种氮化铝陶瓷造粒粉,其重量百分比组分为:3~5wt%的Y2O3粉体、0.1~0.5wt%的Al2O3粉体、30~50wt%的氧含量<0.8%的AlN粉体、0.1~0.2wt%的鱼油、2~4wt%的聚乙烯醇缩丁醛树脂、1~3wt%的丙烯酸树脂、0.1~0.3wt%的有机硅聚醚、40~50wt%的无水酒精溶剂。

一种氮化铝陶瓷造粒粉,其重量百分比组分为:3wt%的Y2O3粉体、0.2wt%的Al2O3粉体、45.8wt%的氧含量<0.8%的AlN粉体、0.1wt%的鱼油、3.5wt%的聚乙烯醇缩丁醛树脂、2.5wt%的丙烯酸树脂、0.1wt%的有机硅聚醚、44.8wt%的无水酒精溶剂。

一种氮化铝陶瓷造粒粉,其重量百分比组分为:3.5wt%的Y2O3粉体、0.3wt%的Al2O3粉体、46.2wt%的氧含量<0.8%的AlN粉体、0.1wt%的鱼油、2.5wt%的聚乙烯醇缩丁醛树脂、1.5wt%的丙烯酸树脂、0.2wt%的有机硅聚醚、45.7wt%的无水酒精溶剂。

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