[发明专利]无应力减薄设备

说明书

本发明公开了无应力减薄设备，包括承接箱、蚀刻工作台与晶圆携持臂，所述蚀刻工作台通过支撑架设置在承接箱中，所述蚀刻工作台中设有蚀刻化学液盒，蚀刻化学液盒中有用于对晶圆进行蚀刻的化学液体，且蚀刻化学液盒外侧设有过滤框，其中过滤框呈矩形框状，并套设在蚀刻工作台外侧部用于过滤从蚀刻化学液盒中溢流出来的带有副产物的化学液。本发明中的无应力减薄设备为单面蚀刻设备，采用了关键的线性扫描蚀刻技术，可以提供出色的单面蚀刻性能，该技术几乎消除了所有与传输相关的及中心对称的不均匀性，从而在超薄大型基板上提供高均匀性和单面性，可广泛用于MEMS制造中晶圆的无应力减薄，以及其它行业中需要进行表面无应力减薄的材料。

技术领域

本发明涉及单面蚀刻设备技术领域，尤其涉及无应力减薄设备。

背景技术

在半导体制程上，蚀刻是不可或缺的技术，蚀刻指的是通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。蚀刻机是在芯片生产的过程中所必须使用的一种设备，这种设备的作用就好像是雕刻中的刻刀一样，把一块完整的金属板中不需要的部分给去除掉，剩下的就是需要的电路。

现有的蚀刻设备在自旋或者喷雾系统中存在的大径向速度梯度上稳定边界层需要定制化学液体，使得使用较为不便。

为此，我们提出无应力减薄设备来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的无应力减薄设备。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

无应力减薄设备，包括承接箱、蚀刻工作台与晶圆携持臂，承接箱、蚀刻工作台与晶圆携持臂皆设置在单面蚀刻设备的壳体内，所述蚀刻工作台通过支撑架设置在承接箱中，其中通过支撑架使用还便于将蚀刻工作台从承接箱中进行取出或者安放，所述蚀刻工作台中设有蚀刻化学液盒，蚀刻化学液盒中有用于对晶圆进行蚀刻的化学液体，且蚀刻化学液盒外侧设有过滤框，其中过滤框呈矩形框状，并套设在蚀刻工作台外侧部用于过滤从蚀刻化学液盒中溢流出来的带有副产物的化学液。

作为本发明中进一步的，所述支撑架包括两个支撑横板，且两个支撑横板底部靠近两端的位置皆设有加强板，从而将两个支撑横板并排连接在一起，其中两个支撑横板不接触，两个支撑横板的同一端皆设有通过螺栓与承接箱内壁连接的连接块，两个支撑横板顶部远离连接块的位置皆设有搭接块；

所述蚀刻工作台底部开设有供搭接块进行插设的搭接孔，使用时将四个支撑架分别通过螺栓连接在承载箱内壁上，此时四个支撑架均匀为均匀分布状态。

作为本发明中进一步的，所述蚀刻工作台顶部中间位置贯穿开设有用于安放蚀刻化学液盒的安装孔；

所述蚀刻化学液盒表面固定套设有连接环，当蚀刻化学液盒自安装孔底部安装而时，连接环位于蚀刻工作台底部并通螺纹连接定位连接，从而使得蚀刻化学液盒连接在蚀刻工作台中的安装孔中，另外所述蚀刻化学液盒表面还连通设有用将化学液注入到蚀刻化学液盒中的进液管，该进液管延伸至承载箱外部并与外部现有技术中的供液设备连通。

作为本发明中进一步的，所述蚀刻工作台顶部位于安装孔外部固定设有导流边，该导流边呈圆环型，并且顶部为弧形，另外该导流边与蚀刻化学液盒顶部齐平，这样便于当蚀刻化学液盒中化学液溢流并向蚀刻工作台顶部溢散，所述蚀刻工作台顶部开设有用于将蚀刻工作台顶部化学液导流下去的导流槽。

作为本发明中进一步的，所述过滤框呈矩形框状，且顶部开设有用于承接溢流出的化学液的容纳槽，所述过滤框外侧与底部皆均匀开设有连通容纳槽的过滤孔，以方便液体流出至承接箱中，且将副产物截留下来。