[发明专利]全彩微显示器件及其制备方法

说明书

本发明公开了全彩微显示器件及其制备方法，其中，全彩微显示器件包括硅基驱动芯片和设置在硅基驱动芯片的像素区域，像素区域包括蓝色像素位置、红色像素位置和绿色像素位置，在蓝色像素位置设置有蓝色Micro‑LED器件，在红色像素位置设置有红色QLED器件，在绿色像素位置设置有绿色QLED器件，蓝色Micro‑LED器件、红色QLED器件和绿色QLED器件共用电极；硅基驱动芯片用于驱动蓝色Micro‑LED器件、红色QLED器件和绿色QLED器件。基于此，全彩微显示器件能够利用蓝色Micro‑LED实现蓝色像素，QLED实现红色和绿色像素，二者结合实现三基色，从而实现全彩显示。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别是涉及一种全彩微显示器件及其制备方法。

背景技术

微显示技术具有广泛的应用前景，基于Micro-OLED的微显示技术已经逐步商业化，然而在一些应用中，要求显示器件具有较高的亮度，OLED受限于材料自身的性质，亮度受限，蓝光OLED器件寿命的短板也无法满足有高亮度需求的应用场景。而量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)是利用电注入量子点发光的电致自发光器件。其具有发光峰窄，亮度高，溶液法加工，低成本等特点，可实现高品质的显示需求，但是受限于蓝色QLED器件存在容易发生性能退化和寿命下降的问题，导致现有的全彩QLED显示技术存在如下问题：

(1)转彩实现Micro-LED全彩微显示的技术路线，其显示效果受限于量子点的蓝光转化率、可靠性和像素之间的光串扰，很难实现高亮度和高分辨率的全彩微显示。

(2)蓝色QLED器件性能和寿命尚未达到应用水平，限制了全彩QLED显示技术的应用。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本发明实施例提供了一种全彩微显示器件及其制备方法，能够利用蓝色Micro-LED实现蓝色像素，QLED实现红色和绿色像素，二者结合实现三基色，从而实现高亮度和高分辨率的全彩显示。

第一方面，本发明实施例提供了一种全彩微显示器件，包括：

像素区域，包括蓝色像素位置、红色像素位置和绿色像素位置，在所述蓝色像素位置设置有蓝色Micro-LED器件，在所述红色像素位置设置有红色QLED器件，在所述绿色像素位置设置有绿色QLED器件，所述蓝色Micro-LED器件、所述红色QLED器件和所述绿色QLED器件共用电极；

硅基驱动芯片，用于驱动所述蓝色Micro-LED器件、所述红色QLED器件和所述绿色QLED器件，所述像素区域设置在所述硅基驱动芯片。

在一些实施例，所述硅基驱动芯片为硅基CMOS芯片或者TFT驱动面板。

在一些实施例，所述蓝色Micro-LED器件、所述红色QLED器件和所述绿色QLED器件等距间隔排布在所述像素区域。

在一些实施例，所述蓝色Micro-LED器件由蓝宝石基底、缓冲层、n-GaN层、绝缘层、透明导电层、蓝色Micro-LED有源层、蓝色Micro-LED阳极和蓝色Micro-LED阴极组成。

在一些实施例，所述红色QLED器件由外延层、绝缘层、透明导电层、电子传输层、红色量子点层和有机空穴传输层组成。

在一些实施例，所述绿色QLED器件由外延层、绝缘层、透明导电层、电子传输层、绿色量子点层和有机空穴传输层组成。

第二方面，本发明实施例提供了一种电子设备，包括有如上第一方面所述的全彩微显示器件。

第三方面，本发明实施例提供了一种全彩微显示器件制备方法，包括：

在蓝宝石基底的外延片上沉积绝缘层；