[发明专利]一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法及电容器

权利要求书

1.一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法，其特征在于，包括：

依次经过浆料配制工序、流延工序、印叠工序、切块工序、排粘工序、烧结工序、倒角工序、涂端工序、烧银工序、电镀工序得到电容器半成品，然后对所述电容器半成品进行测量、筛选、超声波无损检测和外观筛选，得到成品，其中，

在进行排粘和烧结工艺时，根据有机粘合剂和多层瓷介电容器生坯的差热分析曲线、内电极浆料和多层瓷介电容器生坯的热机械分析曲线结合多层瓷介电容器的实际电性能及破坏性物理分析内部结构情况确定排粘、烧结的升温速率、温度、时间，进一步精细化排粘、烧结曲线，确定最佳烧结工艺窗口，保证多层瓷介电容器的介质致密性。

2.根据权利要求1所述的一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法，其特征在于，所述多层瓷介电容器的实际电性能包括电容量、损耗角正切、绝缘电阻及介质耐电压。

3.根据权利要求1所述的一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法，其特征在于，根据有机粘合剂和多层瓷介电容器生坯的差热分析曲线、内电极浆料和多层瓷介电容器生坯的热机械分析曲线结合多层瓷介电容器的实际电性能及破坏性物理分析内部结构情况确定排粘、烧结的升温速率、温度、时间，进一步精细化排粘、烧结曲线，确定最佳烧结工艺窗口的具体步骤为：

根据有机物的挥发温度以及多层瓷介电容器生坯的差热分析曲线，确定出排粘曲线为：在31小时内升温至177℃，177℃保温4小时后，在后续的35小时升温至260℃，然后在后续的11小时升温至316℃，最后在1小时内降温至71℃；

根据多层瓷介电容器生坯的差热分析曲线曲线，结合瓷粉晶相烧结成瓷的特性以及瓷介质与内电极的收缩匹配性、产品的机械和电性能来确定确定烧结曲线为6.5h至最高温度1105±10℃，再在最高温度下保温2.5小时。

4.根据权利要求1所述的一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法，其特征在于，所述印叠工序包括印银工步和叠膜工步，其中，印银工步用于利用丝网印刷原理，在流延好的陶瓷介质膜片上，将内电极浆料在刮刀的挤压下穿过丝网中间的网孔，印刷到所述陶瓷介质膜片上，形成一定形状和尺寸的内电极图形，叠膜工步用于利用错位、叠膜的方法形成内电极上下交错的电容器的内电极结构，其中，内电极浆料的印刷厚度范围为1.5-3.5um。

5.根据权利要求1所述的一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法，其特征在于，在进行流延工艺时，对流延工艺进行净化度管控，净化静态净化度要求为：粒径≥0.5μm的粒子最大允许浓度为257个/L，动态净化度要求为：粒径≥0.5μm的粒子最大允许浓度为1023个/L；粒径≥1μm的粒子最大允许浓度为241个/L。

6.根据权利要求1所述的一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法，其特征在于，在进行流延工艺时，载带速度为12m/min，供料压强为0.275MPa，烘道温度为60-90℃。

7.根据权利要求1所述的一种高压片式多层瓷介电容器的制作方法，其特征在于，在进行浆料配制工序的具体步骤为：

A1、130℃烘瓷料2h；

A2、将溶剂加入瓷料中，所述溶剂包括氧化锆球、甲苯、乙醇、分散剂、消泡剂；

A3、将A2的材料进行球磨4.5-5h；

A4、在A3的材料中加入有机粘合剂后球磨41-48h，其中，瓷粉：有机粘合剂：溶剂＝1:0.34:0.42；

A5、对A4进行球磨后的材料进行倒料并过滤得到制作陶瓷介质的浆料。

8.一种通过权利要求1-7任一所述的高压片式多层瓷介电容器的制作方法制作出来的电容器，其特征在于，包括设置在介质层中的多个上下交错设置的第一内电极层和第二内电极层，其中，

所述第一内电极层包括相互隔开的第一内电极和第二内电极，

所述第二内电极层包括第三内电极，在竖向方向上，所述第三内电极位于所述第一内电极和第二内电极之间；

所述第三内电极均为四个角为圆角的矩形，所述第一内电极和第二内电极相互靠近的一侧的两个角为圆角。

9.根据权利要求8所述的一种高压片式多层瓷介电容器，其特征在于，所述圆角的半径为1mm。