[发明专利]一种有源区制备方法和有源区结构

说明书

本发明公开了一种有源区制备方法和有源区结构，所述有源区制备方法包括获取设有浅沟槽的半导体衬底，其中，浅沟槽内设有沟槽氧化层和填充层；刻蚀去除部分填充层和部分沟槽氧化层，以露出浅沟槽的顶角；刻蚀浅沟槽的顶角，并使浅沟槽的顶角形成预设圆角；在预设圆角上重新敷设沟槽氧化层之后，在浅沟槽内重新形成填充层以形成有源区。本发明解决了使用现有方法形成的有源区实际效果不理想的问题，提高了影响了器件的性能和产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种有源区制备方法和有源区结构。

背景技术

如图1所述，现有的有源区通过光刻显影之后，采用干法刻蚀在有源区上形成浅沟槽1’，再通过湿法刻蚀降低氮化硅3’厚度和尺寸，同时消耗氧化层2’(SiO₂)，以露出有源区浅沟槽1’的顶角，然后通过炉管氧化在浅沟槽1’内壁形成的氧化层2’，并在形成氧化层2’的过程中将浅沟槽1’的顶角变成圆角，最后基于HDP(高密度等离子体化学气相淀积)工艺填充浅沟槽1’，形成有源区。

但使用现有方法形成的有源区实际效果不理想，影响了器件的性能，降低了产品良率。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种有源区制备方法和有源区结构，以至少解决使用现有方法形成的有源区实际效果不理想的问题。

本发明实施例提供以下技术方案：

本发明实施例的一种有源区制备方法，包括：

获取设有浅沟槽的半导体衬底，其中，所述浅沟槽内设有沟槽氧化层和填充层；

刻蚀去除部分所述填充层和部分沟槽氧化层，以露出所述浅沟槽的顶角；

刻蚀所述浅沟槽的顶角，并使所述浅沟槽的顶角形成预设圆角；

在所述预设圆角上重新敷设所述沟槽氧化层之后，在所述浅沟槽内重新形成所述填充层以形成有源区。

进一步地，所述半导体衬底上设有掩膜层，且所述掩膜层位于所述浅沟槽的周部。

进一步地，所述刻蚀所述浅沟槽的顶角包括：

基于湿法刻蚀工艺刻蚀所述浅沟槽的顶角，以降低刻蚀难度。

进一步地，所述基于湿法刻蚀工艺刻蚀所述浅沟槽的顶角包括：

使用硅腐蚀液刻蚀所述浅沟槽的顶角，以避免刻蚀所述填充层或沟槽氧化层。

进一步地，所述硅腐蚀液为氢氟酸(HF)、硝酸(HNO₃)和硫酸(H₂SO₄)的混合溶液，以便于调配获取所述硅腐蚀液。

进一步地，所述氢氟酸(HF)、硝酸(HNO₃)和硫酸(H₂SO₄)的比值范围为3:1:1-6:1:1，以快速刻蚀所述浅沟槽的顶角。

进一步地，在所述预设圆角上重新敷设所述沟槽氧化层包括：

基于炉管工艺在所述预设圆角上重新敷设所述沟槽氧化层。

进一步地，在所述浅沟槽内重新形成所述填充层包括：

基于HDP工艺在所述浅沟槽内重新形成所述填充层。

本发明实施例的一种有源区结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底上刻蚀有露出顶角的浅沟槽，所述有源区结构还包括：

沟槽氧化层，所述沟槽氧化层敷设于所述浅沟槽的下方，并露出所述浅沟槽的顶角；

填充层，所述填充层敷设于所述沟槽氧化层上，且露出所述浅沟槽的顶角；