[发明专利]自举电容的补电方法、装置、芯片及电子设备在审

专利信息
申请号: 202310186579.4 申请日: 2023-02-06
公开(公告)号: CN116317539A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 李高;龙仁伟;王宇 申请(专利权)人: 圣邦微电子(北京)股份有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02M1/088;H02M1/00
代理公司: 北京慧加伦知识产权代理有限公司 16035 代理人: 赵敏岑;李志刚
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电容 方法 装置 芯片 电子设备
【权利要求书】:

1.一种自举电容的补电方法,其特征在于,包括:

获取DCDC芯片的工作状态、所述DCDC芯片上的自举电容两端的电压状态以及所述DCDC芯片上的上功率管的脉宽计时时钟;

当所述工作状态为第一工作状态、获取到所述脉宽计时时钟的下降沿、且所述电压状态为欠压状态时,控制所述DCDC芯片上的下功率管开启第一设定时间以向所述自举电容充电;

当所述工作状态为第二工作状态时,控制所述下功率管开启第二设定时间以向所述自举电容充电;

当所述工作状态为第三工作状态,且所述电压状态为欠压状态时,以刷新时钟控制下功率管开启以向所述自举电容充电,

其中,所述第一工作状态为最大占空比工作状态,所述第二工作状态为退出睡眠模式后指定时间段内的工作状态,所述第三工作状态为非最大占空比的正常工作状态,所述第一设定时间小于所述自举电容的充满电标准时间,所述第二设定时间大于所述充满电标准时间,所述刷新时钟的脉宽大于或等于所述充满电标准时间。

2.根据权利要求1所述的自举电容的补电方法,其特征在于,所述电压状态包括欠压状态和非欠压状态,当所述自举电容两端的电压差小于第一设定电压值时,所述电压状态为欠压状态;当所述自举电容两端的电压差大于第二设定电压值时,所述电压状态为非欠压状态,其中,所述第一设定电压值与所述DCDC芯片上的上功率管驱动的工作极限电压值相关。

3.根据权利要求2所述的自举电容的补电方法,其特征在于,所述方法还包括:

当所述工作状态为第三工作状态,且所述电压状态为非欠压状态时,按照所述DCDC芯片的内部控制逻辑控制所述上功率管与所述下功率管交替开启。

4.根据权利要求1所述的自举电容的补电方法,其特征在于,所述自举电容的充满电标准时间可通过下述方式获得:

根据得到所述自举电容的充满电标准时间,其中,tst为所述充满电标准时间,CBoot为所述自举电容的容值,ΔV为所述自举电容两端的标准电压值,IBoot为由所述DCDC芯片上的直流电压源提供的电流。

5.根据权利要求4所述的自举电容的补电方法,其特征在于,所述第一设定时间至少大于将所述自举电容两端的电压差由工作极限电压值充电至所述标准电压值所需的时间。

6.根据权利要求1所述的自举电容的补电方法,其特征在于,所述方法还包括:

当所述工作状态为第一工作状态、且获取到所述脉宽计时时钟的上升沿时,控制所述上功率管关闭。

7.根据权利要求1-6任一项所述的自举电容的补电方法,其特征在于,所述自举电容的容值范围为2.2nF~3.3nF。

8.一种自举电容的补电装置,其特征在于,包括:

获取模块,用于获取DCDC芯片的工作状态、所述DCDC芯片上的自举电容两端的电压状态以及所述DCDC芯片上的上功率管的脉宽计时时钟;

控制模块,用于当所述工作状态为第一工作状态、获取到所述脉宽计时时钟的下降沿、且所述电压状态为欠压状态时,控制所述DCDC芯片上的下功率管开启第一设定时间以向所述自举电容充电;当所述工作状态为第二工作状态时,控制所述下功率管开启第二设定时间以向所述自举电容充电;当所述工作状态为第三工作状态,且所述电压状态为欠压状态时,以刷新时钟控制下功率管开启以向所述自举电容充电,

其中,所述第一工作状态为最大占空比工作状态,所述第二工作状态为退出睡眠模式后指定时间段内的工作状态,所述第三工作状态为非最大占空比的正常工作状态,所述第一设定时间小于所述自举电容的充满电标准时间,所述第二设定时间大于所述充满电标准时间,所述刷新时钟的脉宽大于或等于所述充满电标准时间。

9.一种DCDC芯片,其特征在于,包括根据权利要求8所述的自举电容的补电装置。

10.一种电子设备,其特征在于,包括根据权利要求9所述的DCDC芯片。

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