[发明专利]一种VCSEL晶圆级别短脉冲测试系统

说明书

本发明属于晶圆测试设备的技术领域，具体涉及一种VCSEL晶圆级别短脉冲测试系统。本发明包括：承载盘的中心设承载区，承载区用于放置晶圆，承载盘的外缘设朝上伸出的环状凸起，承载盘与晶圆的底面电连通；承载盘的底面还设三维驱动机构；面板设在承载盘上方；驱动卡可上下移动地设在面板的底面，驱动卡的正面设驱动模块，反面设导电层，驱动模块与导电层电连通；驱动卡的顶面开设探针窗口；探针座设在面板的正面，探针座的末端设探针，探针座用于调节探针穿过探针窗口，并指向承载区；探针通过软排线与驱动模块电连通。本发明用于解决现有技术中较长的测试回路所寄生的感抗和阻抗会将短脉冲扩展失真，影响晶圆测试的准确性和可信度的技术问题。

技术领域

本发明属于晶圆测试设备的技术领域，具体涉及一种VCSEL晶圆级别短脉冲测试系统。

背景技术

VCSEL （Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）激光器是一种光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直的激光器，可实现芯片表面的激光出射，其具有阈值电流低、易二维集成、圆形对称光斑等诸多优点。

随着 VCSEL 技术的不断发展，其应用也早已突破传统的数据通信领域。目前，VCSEL 不仅在人脸识别、3D传感、VRAR等消费电子等领域发挥越来越重要的作用，其在自动驾驶（Autonomous Driving）和高级辅助驾驶（ADAS）领域发挥的作用也越来越突出。

半导体制程中，在越靠前的工艺节点进行良率的筛选，所造成的损失会越小。VCSEL激光器具有面发光的特点,是为数不多的可以在晶圆级别进行测试的激光器。传统应用的VCSEL已实现晶圆级别的量产测试，但是，对于LIDAR的应用，VCSEL在往多结、大功率方向发展，激光器的输出功率要求极高，峰值功率要求在50W~300W不等。这样所带来的问题是在约0.01mm³的芯片上，短时间内产生的大量的热量会将芯片烧坏，为了控制热量的影响并准确测试其性能，点亮测试的时间必须维持在极短的时间（通常小于1us）。

但是传统的解决方案中，晶圆级别的测试通常会有较长的测试回路，较长的测试回路所寄生的感抗和阻抗会对短脉冲的测试不利，会将短脉冲展宽失真，从而影响测试的准确性和可信度。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种VCSEL晶圆级别短脉冲测试系统，用于解决现有技术中较长的测试回路所寄生的感抗和阻抗会将短脉冲扩展失真，影响晶圆测试的准确性和可信度的技术问题。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种VCSEL晶圆级别短脉冲测试系统，包括：

承载盘，所述承载盘的中心设有承载区，所述承载区用于放置晶圆，所述承载盘的外缘设有朝上伸出的环状凸起，所述承载盘与所述晶圆的底面电连通；

所述承载盘的底面还设有三维驱动机构；

面板，所述面板设在所述承载盘上方；

驱动卡，所述驱动卡可上下浮动地设在所述面板的底面，所述驱动卡的正面设有驱动模块，反面设有导电层，所述驱动模块的负极与所述导电层电连通；

所述驱动卡的顶面开设有探针窗口；

探针座，所述探针座设在所述面板的正面，所述探针座的末端设有探针，所述探针座用于调节所述探针穿过所述探针窗口，并指向所述承载区；

所述探针通过软排线与所述驱动模块的正极电连通。