[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上均形成有栅极结构；

形成缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上，且所述缓冲层覆盖所述栅极结构；

形成应力层于所述缓冲层上；所述应力层为张应力层时，所述PMOS器件区上的缓冲层厚度大于所述NMOS器件区上的缓冲层厚度；所述应力层为压应力层时，所述NMOS器件区上的缓冲层厚度大于所述PMOS器件区上的缓冲层厚度。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力层为张应力层时，在形成所述应力层于所述缓冲层上之前，所述半导体器件的制造方法还包括：

形成第一源极区和第一漏极区于所述NMOS器件区的所述栅极结构两侧的衬底中，形成所述第一源极区和所述第一漏极区与形成所述缓冲层采用同一图案化的光刻胶层为掩膜；

所述应力层为压应力层时，在形成所述应力层于所述缓冲层上之前，所述半导体器件的制造方法还包括：

形成第二源极区和第二漏极区于所述PMOS器件区的所述栅极结构两侧的衬底中，形成所述第二源极区和所述第二漏极区与形成所述缓冲层采用同一图案化的光刻胶层为掩膜。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力层为张应力层时；

形成所述缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上的步骤包括：

形成第一缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上，且所述第一缓冲层覆盖所述栅极结构；

去除所述NMOS器件区上的第一缓冲层；

形成第二缓冲层于所述NMOS器件区的所述衬底和所述栅极结构上以及所述PMOS器件区的第一缓冲层上；

或者，形成所述缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上的步骤包括：

形成缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上，且所述缓冲层覆盖所述栅极结构；

去除所述NMOS器件区上的部分厚度的所述缓冲层。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在去除所述NMOS器件区上的第一缓冲层之前或之后，或者，在去除所述NMOS器件区上的部分厚度的所述缓冲层之前或之后，所述半导体器件的制造方法还包括：

形成第一源极区和第一漏极区于所述NMOS器件区的所述栅极结构两侧的衬底中，其中，形成所述第一源极区和所述第一漏极区与去除所述NMOS器件区上的第一缓冲层或者去除所述NMOS器件区上的部分厚度的所述缓冲层采用同一图案化的光刻胶层为掩膜。

5.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在去除所述NMOS器件区上的第一缓冲层之后或者在去除所述NMOS器件区上的部分厚度的所述缓冲层之后，所述半导体器件的制造方法还包括：

形成第二源极区和第二漏极区于所述PMOS器件区的所述栅极结构两侧的衬底中。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力层为压应力层时；

形成所述缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上的步骤包括：

形成第一缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上，且所述第一缓冲层覆盖所述栅极结构；

去除所述PMOS器件区上的第一缓冲层；

形成第二缓冲层于所述PMOS器件区的所述衬底和所述栅极结构上以及所述NMOS器件区的第一缓冲层上；

或者，形成所述缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上的步骤包括：

形成缓冲层于所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的衬底上，且所述缓冲层覆盖所述栅极结构；

去除所述PMOS器件区上的部分厚度的所述缓冲层。