[发明专利]一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备及生产方法在审

专利信息
申请号: 202310174050.0 申请日: 2023-02-28
公开(公告)号: CN116175350A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 潘功寰;李存;顾正伟 申请(专利权)人: 苏州中砥半导体材料有限公司
主分类号: B24B19/22 分类号: B24B19/22;B24B41/00;B24B41/02
代理公司: 常州市科佑新创专利代理有限公司 32672 代理人: 胥建中
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 制造 掺杂 元素 制备 磷化 衬底 设备 生产 方法
【说明书】:

发明涉及一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备,包括:打磨设备,设置在所述打磨设备内部一侧的夹取臂,设置在所述打磨设备内部另一侧的驱动电机,设置在所述驱动电机底端的打磨台,设置在所述打磨台底端的支撑台,且所述打磨台与所述支撑台相互不接触;所述打磨台内部的底端设置有凹槽,所述凹槽的内部固定连接有调节部;所述打磨台与所述支撑台之间设置有供料部,且所述供料部在所述打磨设备上呈转动连接设计;打磨设备在使用时,可以通过供料部将磷化铟衬底输送至打磨台与支撑台之间,在输送的过程中,供料部被压缩,进而供料部上的磷化铟衬底能够与调节部的底端面相接触,使得达到清理磷化铟衬底表面的效果。

技术领域

本发明涉及磷化铟衬底技术领域,具体而言,涉及一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备。

背景技术

随着现在社会的发展,科技不断地进步,磷化铟技术得以迅速发展,磷化铟是一种重要的化合物半导体材料,其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点,磷化铟和砷化镓相比,电学等物理性质优势突出,在半导体光通信领域应用占据优势,因此逐渐成为主流半导体材料之一,未来,在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下,磷化铟衬底市场规模将持续扩大,进一步促进下游应用领域的发展;

但是通过磷化铟制成的衬底在生产的过程中往往需要提前对表面进行打磨,但是在打磨之前,磷化铟衬底表面会有一些灰尘和杂质,如果不及时对其表面进行清洗,在打磨的过程中有可能会损坏磷化铟衬底的表面,并且,在打磨的同时无法区别良品与次品;

因此,需要一种新型的制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备进行替代。

发明内容

本发明的目的是提供一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备及生产方法。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种制造掺杂钛元素制备N型磷化铟衬底设备,包括:打磨设备,设置在所述打磨设备顶端一侧的打磨台,设置在所述打磨台底端的支撑台,且所述打磨台与所述支撑台相互不接触;所述打磨台内部的底端设置有凹槽,所述凹槽的内部固定连接有调节部;所述打磨台与所述支撑台之间设置有供料部,且所述供料部在所述打磨设备上呈转动连接设计;其中驱动所述供料部,所述供料部能够在所述打磨台与所述支撑台之间旋转,所述调节部能够压缩所述供料部,以使所述调节部能够刮式磷化铟衬底;反向驱动所述供料部,所述调节部能够抬起所述供料部,以使磷化铟衬底能够掉落至所述支撑台的内部。

进一步的,所述打磨设备内部的一侧设置有夹取臂,所述打磨设备内部的另一侧设置有驱动电机;其中所述夹取臂适于夹取磷化铟衬底。

进一步的,所述供料部包括设置在所述打磨台与所述支撑台之间的供料台,贯穿在所述供料台中间位置处的驱动轴,等间距环形开设在所述供料台边缘位置处的若干个磷化铟衬底槽,以及设置在若干个所述磷化铟衬底槽内部的磷化铟衬底架;其中驱动所述驱动轴,所述供料台能够在所述打磨设备上旋转,以使磷化铟衬底能够输送至所述打磨台打磨。

进一步的,所述供料部还包括开设在所述磷化铟衬底架一侧的升降槽,贯穿在所述升降槽内部顶端的升降杆,缠绕在所述升降杆外表面的伸缩弹簧,且所述伸缩弹簧与所述升降槽内壁的顶端固定连接;所述升降槽的内部转动连接有转动杆;其中驱动所述供料台,所述调节部能够压缩所述升降杆,以使所述调节部能够刮式磷化铟衬底;反向驱动所述供料台,所述调节部能够抬起所述升降杆,以使磷化铟衬底能够掉落至所述支撑台的内部。

进一步的,所述升降杆的横截面呈T型设计;其中所述调节部适于压缩或抬升所述升降杆。

进一步的,所述调节部包括固定连接在所述凹槽内部的调节板,开设在所述调节板内部的弧形槽;其中所述弧形槽的横截面大于所述升降杆底端的横截面,所述弧形槽的横截面小于所述升降杆顶端的横截面。

进一步的,所述弧形槽与所述供料台之间呈同心设计。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州中砥半导体材料有限公司,未经苏州中砥半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310174050.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top