[发明专利]发光显示装置及其制造方法

说明书

本发明涉及一种发光显示装置及其制造方法，其中发光显示装置包括：薄膜晶体管上的钝化层，该钝化层具有氢；钝化层上的发光二极管，该发光二极管具有阳极、阳极上的发光层、以及发光层上的阴极；以及发光二极管上的氢吸收层，该氢吸收层包括质量百分比为0.08％至50％的无机材料。

本申请是名为“发光显示装置及其制造方法”、申请号为201910638935.5的中国专利申请的分案申请，专利申请201910638935.5是根据巴黎条约于2019年7月15日向中国专利局提交的发明专利申请，该申请最早优先权日为2018年8月28日。

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2018年8月28日提交的韩国专利申请No.10-2018-0101229和2018年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2018-0173630的优先权，所有这些申请的公开内容通过引用并入本专利申请。

技术领域

本公开涉及一种发光显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种能够减少由氢引起的薄膜晶体管缺陷的发光显示装置及其制造方法。

背景技术

发光显示装置是自发光显示装置，因此不需要单独的光源，这与液晶显示装置不同。因此，可以将发光显示装置制造成重量轻且厚度薄。此外，由于发光显示装置以低电压驱动，因此不仅在功耗方面，而且在颜色、响应速度、视角和对比度的实现方面都是有利的，因此，正在研究发光显示装置作为下一代显示器。

在发光显示装置中，设置在每个子像素中的发光二极管被驱动以发光。在这种情况下，为了独立地驱动子像素的发光二极管，在每个子像素中设置一个或更多个电连接至发光二极管的薄膜晶体管(TFT)。

薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层。源电极和漏电极与半导体层接触，并且栅电极设置为与半导体层交叠。当将预定电压或更高电压的栅极电压施加至薄膜晶体管的栅电极时，在半导体层中形成沟道，以使得电流能够在源电极与漏电极之间流动。如上所述，薄膜晶体管具有开关特性，并且开关特性可以由各种各样的因素确定。例如，当半导体层的材料变形时，薄膜晶体管的迁移率改变，从而可以改变薄膜晶体管的开关特性。

发光显示装置包括钝化层，该钝化层保护发光二极管免受穿透发光二极管的水分或氧气的影响。钝化层形成在发光二极管上以保护发光二极管。

通过例如使用硅烷(SiH₄)和氨(NH₃)的化学气相沉积(CVD)方法形成钝化层。在通过化学气相沉积方法形成钝化层的过程中，可能从硅烷和氨产生少量的氢。因此，在形成钝化层的过程中产生的氢扩散到钝化层以被包含在钝化层中。包含在钝化层中的残留氢可以在发光二极管中移动。当残留的氢扩散到薄膜晶体管的半导体层以与半导体层反应时，可能改变薄膜晶体管的特性。因此，在形成钝化层的过程中产生的氢不仅会降低薄膜晶体管的特性，还会降低发光显示装置的特性。

发明内容

为了解决在形成发光显示装置的钝化层时产生的氢保留在发光显示装置中以及残留的氢向薄膜晶体管扩散而使得薄膜晶体管的特性被改变而使发光显示装置的特性降低的问题，本公开的发明人发明了一种能够吸收包含在钝化层中的氢的发光显示装置的新结构及其制造方法。

因此，本公开要实现的一个目的是提供一种发光显示装置以及制造发光显示装置的方法，该发光显示装置通过吸收保留在钝化层中的氢来抑制薄膜晶体管的特性降低。

此外，本公开要实现的另一目的是提供一种发光显示装置和制造发光显示装置的方法，该发光显示装置具有能够去除钝化层中的氢的结构而无需提供用于去除在形成钝化层的过程中产生的氢的单独的装置。

本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他目的。