[发明专利]薄膜晶体管

说明书

一种薄膜晶体管，包括基板、半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极。半导体层位于基板之上。栅极绝缘层位于半导体层上。栅极位于栅极绝缘层之上，且重叠于半导体层。栅极包括第一部分、第二部分以及第三部分。第一部分沿着栅极绝缘层的表面延伸，且直接接触栅极绝缘层。第二部分分离于栅极绝缘层。以栅极绝缘层的表面为基准，第二部分的顶面高于第一部分的顶面。第三部分连接第一部分至第二部分。源极以及漏极电性连接至半导体层。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

一般而言，电子装置中都包含有许多的主动元件。举例来说，显示装置中常包含有许多薄膜晶体管，且这些薄膜晶体管是利用在基板上沉积各种不同的薄膜(例如半导体、金属、介电层等)来形成。在显示装置中，薄膜晶体管可以设置于像素结构中，也可设置于驱动电路中。

随着科技的进步，各种工艺技术的临界尺寸(Critical size)逐渐缩小。栅极与半导体层之间的间距越来越小，因此，栅极所产生的电场容易影响半导体层之间的载子，进而导致薄膜晶体管的效能变差。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管，能改善垂直电场所造成的漏电问题。

本发明的至少一实施例提供一种薄膜晶体管。薄膜晶体管包括基板、半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极。半导体层位于基板之上。栅极绝缘层位于半导体层上。栅极位于栅极绝缘层之上，且重叠于半导体层。栅极包括第一部分、第二部分以及第三部分。第一部分沿着栅极绝缘层的表面延伸，且直接接触栅极绝缘层。第二部分分离于栅极绝缘层。以栅极绝缘层的表面为基准，第二部分的顶面高于第一部分的顶面。第三部分连接第一部分至第二部分。源极以及漏极电性连接至半导体层。

本发明的至少一实施例提供一种薄膜晶体管。薄膜晶体管包括基板、半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极。半导体层位于基板之上。栅极绝缘层位于半导体层上。栅极位于栅极绝缘层之上，且重叠于半导体层。第一部分的栅极直接接触栅极绝缘层，且第二部分的栅极与栅极绝缘层之间具有真空空隙。源极以及漏极电性连接至半导体层。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种薄膜晶体管的剖面示意图。

图2A至图2I是图1的薄膜晶体管的制造方法的剖面示意图。

附图标记说明：

100：基板

110：半导体层

110’：半导体图案

112：源极区

114：第二轻掺杂区

115,115’：通道区

116：第一轻掺杂区

118：漏极区

120：闸绝缘层

130：栅极

130’：栅极图案层

130”：栅极材料层

132：第一部分

132a,134a,136a：底面

132b,134b,136b：顶面

134：第二部分

136：第三部分

140：层间介电层

142,144,162,164,OP：开口

152：源极

154：漏极