[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

一基板；

一半导体层，位于该基板之上；

一栅极绝缘层，位于该半导体层上；

一栅极，位于该栅极绝缘层之上，且重叠于该半导体层，其中该栅极包括：

一第一部分，沿着该栅极绝缘层的表面延伸，且直接接触该栅极绝缘层；

一第二部分，分离于该栅极绝缘层，其中以该栅极绝缘层的表面为基准，该第二部分的顶面高于该第一部分的顶面；

一第三部分，连接该第一部分至该第二部分；以及

一源极以及一漏极，电性连接至该半导体层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该半导体层包括：

一通道区，在该基板的一法线方向上重叠于该栅极；

一第一轻掺杂区以及一第二轻掺杂区，分别连接该通道区的两端；以及

一源极区以及一漏极区，其中该第一轻掺杂区位于该漏极区与该通道区之间，且该第二轻掺杂区位于该源极区与该通道区之间，其中该漏极区相较于该源极区更靠近该第二部分。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该半导体层包括：

一通道区，在该基板的一法线方向上重叠于该栅极；

一第一轻掺杂区以及一第二轻掺杂区，分别连接该通道区的两端；以及

一源极区以及一漏极区，其中该第一轻掺杂区位于该漏极区与该通道区之间，且该第二轻掺杂区位于该源极区与该通道区之间，第一轻掺杂区的掺杂浓度小于该第二轻掺杂区的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该第二部分相较于该第一部分更靠近该漏极。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该第一部分、该第二部分以及该第三部分共同组成阶梯结构。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该第一部分的底面以及该第三部分的底面接触该栅极绝缘层，且该第二部分的底面与该栅极绝缘层分离。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该第二部分与该栅极绝缘层之间具有一真空空隙。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，还包括：

一层间介电层，覆盖该第一部分、该第二部分以及该第三部分，且该源极以及该漏极位于该层间介电层上，其中该层间介电层、该栅极绝缘层以及该栅极包围该真空空隙。

9.一种薄膜晶体管，包括：

一基板；

一半导体层，位于该基板之上；

一栅极绝缘层，位于该半导体层上；

一栅极，位于该栅极绝缘层之上，且重叠于该半导体层，其中第一部分的该栅极直接接触该栅极绝缘层，且第二部分的该栅极与该栅极绝缘层之间具有一真空空隙；以及

一源极以及一漏极，电性连接至该半导体层。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中该半导体层包括：

一通道区，在在该基板的一法线方向上重叠于该栅极；

一第一轻掺杂区以及一第二轻掺杂区，分别连接该通道区的两端；以及

一源极区以及一漏极区，其中该第一轻掺杂区位于该漏极区与该通道区之间，且该第二轻掺杂区位于该源极区与该通道区之间，其中该漏极区相较于该源极区更靠近该真空空隙。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中该半导体层包括：

一通道区，在该基板的一法线方向上重叠于该栅极；

一第一轻掺杂区以及一第二轻掺杂区，分别连接该通道区的两端；以及

一源极区以及一漏极区，其中该第一轻掺杂区位于该漏极区与该通道区之间，且该第二轻掺杂区位于该源极区与该通道区之间，第一轻掺杂区的掺杂浓度小于该第二轻掺杂区的掺杂浓度。

12.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中该第二部分的该栅极相较于该第一部分的该栅极更靠近该漏极。