[发明专利]一种基于高纯铟生产多类型设备异构数据融合采集装置及数据标定方法在审

专利信息
申请号: 202310130598.5 申请日: 2023-02-17
公开(公告)号: CN116107278A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 张合生;朱晓锦;钱权;高志远;焦鹏;胡琪睿 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G05B19/418 分类号: G05B19/418
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 代理人: 吴太平
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 高纯 生产 类型 设备 数据 融合 采集 装置 标定 方法
【权利要求书】:

1.一种基于高纯铟生产多类型设备异构数据融合采集装置,其特征在于,该采集装置包含232数据监听模块(1)、模拟量采集模块(2)、电源模块(3)以及主控制器(4);

所述232数据监听模块(1)的第一RS232接口连接PLC设备,第二RS232接口连接工控屏;所述232数据监听模块(1)与所述主控制器(4)连接,采集PLC或工控屏数据;

所述模拟量采集模块(2)连接高纯铟生产设备的电压输出接口、电流输出接口和温度输出接口;所述模拟量采集模块(2)通过485控制器与主控制器(4)连接,采集电压、电流和温度数据;所述高纯铟生产设备包括单晶提拉炉、真空蒸馏炉和区域熔炼炉;

所述电源模块(3)连接外部24V直流电源,电源模块(3)输出产生的5V直流电源同时与232数据监听模块(1)、模拟量采集模块(2)以及主控制器(4)的电源输入接口连接;

所述主控制器(4)通过485监测控制器连接WF160D传感器以采集位移数据,所述主控制器(4)通过485总线控制器将所有数据上传到数据管理服务系统;所述主控制器(4)为STM32F103C8T6芯片。

2.根据权利要求1所述的一种基于高纯铟生产多类型设备异构数据融合采集装置,其特征在于,所述电源模块(3)包含LM2596-12V电源芯片、LM7812稳压芯片、LM7805稳压芯片、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第一电感L1、第一电解电容E1、第二电解电容E2、第三电解电容E3、第四电解电容E4、第一电容C1、第二电容C2、第四发光二极管LED4、第十六电阻R16;

所述第一二极管D1与第三二极管D3并联,正极的一端连接24V直流电源,第一二极管D1与第三二极管D3的负极与第二电解电容E2正极、LM2596-12V电源芯片输入端及LM7812稳压芯片输入端连接;LM2596-12V的输出端分别与第一电感L1第一端、第五二极管D5阴极连接,第一电感L1第二端分别与第三电解电容E3正级、LM2596-12V电源芯片的FB端连接,第二电解电容E2的负极、LM2596-12V电源芯片的GND端、ON/OFF端、第五二极管D5阳极、第三电解电容E3的阴极共同接地;第一二极管D1负极与LM7812稳压芯片的输入端连接,LM7812稳压芯片的输出端分别与第四电解电容E4正极、第二电容C2的第一端、第十六电阻R16的第一端连接,第四电解电容E4负极、第二电容C2的第二端、第十六电阻R16第二端分别与LM7812稳压芯片的GND端连接,共同接地;第一电感L1第二端和第十六电阻R16第二端连接,并且,第二二极管D2和第四二极管D4的阳极与第一电感L1第二端和第十六电阻R16第二端连接,第二二极管D2和第四二极管D4的阴极分别与7805稳压芯片的输入端、第一电解电容E1的正极连接,7805稳压芯片的输出端VOUT与第一电容C1的第一端连接,第二电容C1的第二端、第一电解电容E1的阴极分别与7805稳压芯片的GND连接,并且,共同接地。

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