[发明专利]钙钛矿薄膜、无有机溶剂参与的钙钛矿薄膜制法及其应用

权利要求书

1.一种无有机溶剂参与的钙钛矿薄膜制法，其特征在于包括：

将ABX₃粉末均匀分散在基材表面上，所述ABX₃中的A⁺包括MA⁺、FA⁺、Cs⁺或Bi⁺，B²⁺包括Pb²⁺或Sn²⁺，X^-包括Cl^-、Br^-或I^-；

使碱性气体与所述ABX₃粉末接触，从而使所述ABX₃粉末溶解，并在所述基材表面形成均匀的离子液体液膜；

去除所述离子液体液膜中的碱性气体，从而制得钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的无有机溶剂参与的钙钛矿薄膜制法，其特征在于包括：至少通过静电高压雾化喷粉装置将ABX₃粉末均匀分散在基材表面。

3.根据权利要求1所述的无有机溶剂参与的钙钛矿薄膜制法，其特征在于包括：室温条件下，将表面均匀分散有ABX₃粉末的导电基材置于密闭系统内，并在所述密闭系统先抽真空至10KPa后,通入碱性气体至常压，从而使所述碱性气体与ABX₃粉末充分接触，进而形成所述离子液体液膜。

4.根据权利要求1所述的无有机溶剂参与的钙钛矿薄膜制法，其特征在于包括：至少通过真空抽气和热退火方法将所述离子液体液膜中的碱性气体去除，其中，所述真空抽气的压力为1-5KPa，热退火的温度为100-150℃。

5.根据权利要求1所述的无有机溶剂参与的钙钛矿薄膜制法，其特征在于：所述基材包括导电基材；和/或，由均匀分散在基材表面的ABX₃粉末形成的粉末层的厚度为2-5μm；和/或，所述ABX₃粉末的粒径为0.1-1μm；和/或，所述钙钛矿薄膜的厚度为0.5-1μm。

6.根据权利要求5所述的无有机溶剂参与的钙钛矿薄膜制法，其特征在于：所述导电基材包括钙钛矿光电器件的空穴传输层或电子传输层。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述碱性气体包括氨气、甲胺气体或乙胺气体中的任意一种。

8.一种钙钛矿薄膜，其特征在于：它是由权利要求1-7中任一项所述方法制得。

9.权利要求8所述的钙钛矿薄膜于制备钙钛矿光电器件中的用途，所述钙钛矿光电器件包括钙钛矿光伏器件、有机发光器件或光电传感器。

10.一种钙钛矿光伏器件结构的制备方法，所述钙钛矿光伏器件结构为正置结构或反置结构，所述制备方法包括制作空穴传输层、钙钛矿层及电子传输层的步骤；其特征在于：所述钙钛矿层是由权利要求1-7中任一项所述方法制得。