[发明专利]偏置电路、功率开关及功率芯片

说明书

本申请提供一种偏置电路、功率开关及功率芯片。该偏置电路包括：第一节点、第二节点和二极管模块；第一节点用于接受外部供电，第二节点用于与外部功率开关管的栅极连接；其中，功率开关管的漏极连接射频传输线；二极管模块，阴极与第一节点连接，阳极与第二节点连接。本申请能够在不增加功率开关管的插入损耗的同时保证功率开关管的工作可靠性。

技术领域

本申请涉及射频开关技术领域，尤其涉及一种偏置电路、功率开关及功率芯片。

背景技术

GaN HEMT(GaAs PHEMT)射频功率开关一般接在功率放大器后级，用于进行大功率射频信号的分路切换。耐功率和插入损耗是评价GaN HEMT(GaAs PHEMT)射频功率开关性能的关键指标。一般而言，功率开关的耐功率越大，其插入损耗就会越大，导致工作效率变低。耐功率越小，在大功率射频信号通过时容易降低功率开关的可靠性。

申请人发现，射频功率开关电路插入损耗减小，会极大提升该开关电路的效率。因此，亟需一种方式，在不增加插入损耗的基础上保证功率开关的可靠性。

发明内容

本申请实施例提供了一种偏置电路、功率开关及功率芯片，以解决在不增加插入损耗的基础上保证功率开关的可靠性的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种偏置电路，包括：第一节点、第二节点和二极管模块；

第一节点用于接受外部供电，第二节点用于与外部功率开关管的栅极连接；其中，功率开关管的漏极连接射频传输线；

二极管模块，阴极与第一节点连接，阳极与第二节点连接。

在一种可能的实现方式中，二极管模块包括电阻单元和二极管单元；

二极管单元，阴极分别与电阻单元的第一端和二极管模块的阴极连接，阳极分别与电阻单元的第二端和二极管模块的阳极连接。

在一种可能的实现方式中，电阻单元包括偏置电阻；偏置电阻，第一端与电阻单元的第一端连接，第二端与电阻单元的第二端连接。

在一种可能的实现方式中，二极管单元包括偏置二极管；偏置二极管，阳极与二极管单元的阳极连接，阴极与二极管单元的阴极连接。

在一种可能的实现方式中，偏置二极管为GaN肖特基二极管。

第二方面，本申请实施例提供了一种功率开关，包括如上第一方面的任一项偏置电路，该功率开关还包括功率开关管；功率开关管，栅极与偏置电路的第二节点连接，源极用于接地，漏极用于与射频传输线连接。

在一种可能的实现方式中，功率开关管为GaN功率开关管。

第三方面，本申请实施例提供了一种功率芯片，包括如上第二方面的任一项功率开关，该功率芯片还包括功率放大器；

功率放大器，信号输入端用于接收外部射频信号，信号输出端与功率开关的漏极连接。

在一种可能的实现方式中，功率芯片包括第一功率开关和第二功率开关；

功率放大器，第一信号输出端与第一功率开关的漏极连接，第二信号输出端与第二功率开关的漏极连接；第一信号输出端用于输出第一射频信号，第二信号输出端用于输出第二射频信号。

在一种可能的实现方式中，功率放大器为三级功率放大器。

本申请实施例提供一种偏置电路，包括第一节点、第二节点和二极管模块；第一节点用于接受外部供电，第二节点用于与外部功率开关管的栅极连接；二极管模块，阴极与第一节点连接，阳极与第二节点连接；通过设置二极管模块，便于消除功率开关管漏极向栅极泄露的摆幅电压，可以在不增加功率开关管的插入损耗的同时保证功率开关管的工作可靠性。

附图说明