[发明专利]偏置电路、功率开关及功率芯片在审
| 申请号： | 202310080388.X | 申请日： | 2023-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN116388741A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨卅男;许春良;高茂原;刘帅;游恒果 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14;H03K17/90 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 刘少卿 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏置 电路 功率 开关 芯片 | ||
1.一种偏置电路，其特征在于，包括：第一节点、第二节点和二极管模块；
所述第一节点用于接受外部供电，所述第二节点用于与外部功率开关管的栅极连接；其中，所述功率开关管的漏极连接射频传输线；
所述二极管模块，阴极与所述第一节点连接，阳极与所述第二节点连接。
2.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述二极管模块包括电阻单元和二极管单元；
所述二极管单元，阴极分别与所述电阻单元的第一端和所述二极管模块的阴极连接，阳极分别与所述电阻单元的第二端和所述二极管模块的阳极连接。
3.如权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，所述电阻单元包括偏置电阻；
所述偏置电阻，第一端与所述电阻单元的第一端连接，第二端与所述电阻单元的第二端连接。
4.如权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，所述二极管单元包括偏置二极管；所述偏置二极管，阳极与所述二极管单元的阳极连接，阴极与所述二极管单元的阴极连接。
5.如权利要求4所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置二极管为GaN肖特基二极管。
6.一种功率开关，包括如权利要求1至5任一项所述的偏置电路，其特征在于，所述功率开关还包括功率开关管；
所述功率开关管，栅极与所述偏置电路的第二节点连接，源极用于接地，漏极用于与射频传输线连接。
7.如权利要求6所述的功率开关，其特征在于，所述功率开关管为GaN功率开关管。
8.一种功率芯片，包括如权利要求6或7所述的功率开关，其特征在于，所述功率芯片还包括功率放大器；
所述功率放大器，信号输入端用于接收外部射频信号，信号输出端与所述功率开关的漏极连接。
9.如权利要求8所述的功率芯片，其特征在于，所述功率芯片包括第一功率开关和第二功率开关；
所述功率放大器，第一信号输出端与所述第一功率开关的漏极连接，第二信号输出端与所述第二功率开关的漏极连接；所述第一信号输出端用于输出第一射频信号，所述第二信号输出端用于输出第二射频信号。
10.如权利要求8或9所述的功率芯片，其特征在于，所述功率放大器为三级功率放大器。
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