[发明专利]纳米棒发光二极管、包括其的显示装置和制造其的方法

说明书

提供了纳米棒发光二极管(LED)、显示装置及其制造方法。纳米棒LED包括第一类型半导体层、氮化物发光层和第二类型半导体层，第一类型半导体层包括主体和从主体连续提供的金字塔形结构，氮化物发光层提供在金字塔形结构上，第二类型半导体层提供在氮化物发光层中。

技术领域

本公开涉及纳米棒发光二极管(LED)、显示装置和制造方法。

背景技术

显示装置，诸如液晶显示器(LCD)、有机发光显示装置、LED显示器等，已被广泛使用。已经开发了具有增加的分辨率的显示装置，并且通过减小像素尺寸来实现其高分辨率。然而，用LED配置像素增加了制造成本，因此，为了降低制造成本，已经将纳米棒LED包括在像素中。此外，如果用于实现显示装置的所有RGB颜色都由LED实现，则可以在没有滤色器的情况下实现颜色，因此，对纳米棒LED的兴趣进一步增加。

发明内容

提供了纳米棒发光二极管(LED)，其被配置为减少由电流注入引起的波长变化。

通过减少由电流注入引起的波长变化，提供了具有改善的颜色再现性的显示装置。

提供了制造具有金字塔形结构的纳米棒LED的方法。

附加方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见或可以通过实施本公开的所给出的实施方式了解。

根据本公开的一方面，提供一种纳米棒发光二极管(LED)，该纳米棒LED包括：第一类型半导体层，包括主体和从主体连续提供的金字塔形结构；提供在金字塔形结构上的氮化物发光层；以及提供在氮化物发光层上的第二类型半导体层，其中第一类型半导体层、氮化物发光层和第二类型半导体层堆叠以形成纳米棒，并且其中纳米棒沿着第一类型半导体层、氮化物发光层和第二类型半导体层堆叠的方向具有恒定的直径。

直径可以在从约0.1μm至约1μm的范围内。

纳米棒的厚度可以大于该直径。

第二类型半导体层的最大厚度可以在20nm至2μm之间的范围内。

第一类型半导体层和第二类型半导体层可以包括Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N(0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤(x1+y1)≤1)。

氮化物发光层可以包括Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N(0.1≤(x2+y2)≤1，0.1y20.6)。

第一类型半导体层可以包括掺杂剂，该掺杂剂包括Si、Ge和Sn。

第二类型半导体层可以包括Mg和B。

金字塔形结构可以包括六边形金字塔形结构或截顶六边形金字塔形结构。

第二类型半导体层的整个上表面可以被定位得高于氮化物发光层的最大高度。

第二类型半导体层的上表面可以被配置为具有平面或凹凸结构。

纳米棒可以被配置为具有圆形截面或六边形截面。

金字塔形结构可以提供有多个。

纳米棒LED可以进一步包括直接位于氮化物发光层的一部分和第一类型半导体层的主体的一部分之间的绝缘层。

纳米棒LED可以进一步包括在纳米棒的侧表面上的保护层。