[发明专利]纳米棒发光二极管、包括其的显示装置和制造其的方法

权利要求书

1.一种纳米棒发光二极管，包括：

第一类型半导体层，包括主体和从所述主体连续提供的金字塔形结构；

氮化物发光层，提供在所述金字塔形结构上；以及

第二类型半导体层，提供在所述氮化物发光层上，

其中所述第一类型半导体层、所述氮化物发光层和所述第二类型半导体层堆叠以形成纳米棒，并且其中所述纳米棒沿着所述第一类型半导体层、所述氮化物发光层和所述第二类型半导体层堆叠的方向具有恒定的直径。

2.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述直径在从0.1μm至1μm的范围内。

3.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述纳米棒的厚度大于所述直径。

4.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述第二类型半导体层的最大厚度在20nm至2μm之间的范围内。

5.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述第一类型半导体层和所述第二类型半导体层包括Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N(0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤(x1+y1)≤1)。

6.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述氮化物发光层包括Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N(0.1≤(x2+y2)≤1，0.1y20.6)。

7.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述第一类型半导体层包括掺杂剂，所述掺杂剂包括Si、Ge和Sn。

8.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述第二类型半导体层包括Mg和B。

9.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述金字塔形结构包括六边形金字塔形结构或截顶六边形金字塔形结构。

10.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述第二类型半导体层的整个上表面被定位得高于所述氮化物发光层的最大高度。

11.根据权利要求10所述的纳米棒发光二极管，其中所述第二类型半导体层的上表面被配置为具有平面或凹凸结构。

12.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述纳米棒被配置为具有圆形截面或六边形截面。

13.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述金字塔形结构提供有多个。

14.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，其中所述纳米棒发光二极管进一步包括直接位于所述氮化物发光层的一部分和所述第一类型半导体层的所述主体的一部分之间的绝缘层。

15.根据权利要求1所述的纳米棒发光二极管，进一步包括在所述纳米棒的侧表面上的保护层。

16.一种显示装置，包括：

基板；

公共电极，提供在所述基板的上表面的第一侧；

多个像素电极，提供为面对所述公共电极并彼此间隔开；以及

纳米棒发光二极管，连接在所述公共电极和所述多个像素电极之间，

其中所述纳米棒发光二极管包括：

第一类型半导体层，包括主体和从所述主体连续提供的金字塔形结构；

氮化物发光层，提供在所述金字塔形结构上；以及

第二类型半导体层，提供在所述氮化物发光层上，

其中所述第一类型半导体层、所述氮化物发光层和所述第二类型半导体层堆叠以形成纳米棒，并且其中所述纳米棒沿着所述第一类型半导体层、所述氮化物发光层和所述第二类型半导体层堆叠的方向具有恒定的直径。