[发明专利]一种太阳能电池板及其制备方法在审
申请号: | 202310058370.X | 申请日: | 2023-01-18 |
公开(公告)号: | CN115832068A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 李克轩;陈彦全;郑茹静;何志童 | 申请(专利权)人: | 西安明为光学科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 庄华红 |
地址: | 710003 陕西省西安市莲湖*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 电池板 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池板,其特征在于,包括依次层叠设置的金属电极、减反射层、稀土上转换层、硅片和背电极;所述硅片包括P-Si层和N-Si层,且在P-Si层和N-Si层之间形成PN结;
所述稀土上转换层是由以下方法制得:
S1、靶材制备
将氟化钠、稀土氟化物和上转换稀土元素源混合配置成混合粉体,经真空热压烧结,制得稀土掺杂层,然后利用导电胶将稀土掺杂层与背板层贴合,制得靶材;
S2、将靶材和硅片分别置于溅射室的相应位置,并将溅射室抽真空至5×10-5Pa~6.0×10-4Pa,对靶材通过预溅射进行表面除杂,然后将硅片置于辉光中,调节功率进行起辉溅射;
S3、将S2得到的样品在200~350℃下退火1-2小时,使硅片靠近其P-Si层的一侧沉积一层稀土上转换层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池板,其特征在于,S1中,所述上转换稀土元素源为PrF3、NdF3、HoF3、EuF3、ErF3、TmF3、YbF3中的任意一种或者多种的组合;
所述稀土氟化物为GdF3、YF3、LuF3中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池板,其特征在于,S1中,氟化钠、稀土氟化物与上转换稀土元素源的摩尔比为:76~80:4~20:0.1~0.4。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池板,其特征在于,S1中,所述靶材的厚度≤6mm;所述背板层的厚度≥2mm;所述稀土掺杂层的厚度≤3mm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池板,其特征在于,S1中,真空热压烧结的条件为:真空度为10-2Pa,烧结温度为1000±5℃,烧结压力为30MPa,保温保压时间为8h。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池板,其特征在于,S2中,调节功率进行起辉溅射的具体操作如下:
向溅射室内充入氩气,调节靶材和硅片之间的间距为90~130mm,调节溅射压强4~10Pa,射频电源溅射功率100~150W,进行起辉溅射,溅射时间30min。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池板,其特征在于,S3中,退火操作是在真空度为5×10-5Pa~6.0×10-4Pa下进行的。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池板,其特征在于,所述稀土上转换层的厚度为20~500nm。
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