[发明专利]干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺

权利要求书

1.一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其特征是，其工艺步骤为：

S1、取出基板，在基板上涂覆一层非光敏底层胶达到设定的目标厚度；

S2、在非光敏底层胶上层再涂覆一层光刻胶，光刻胶的厚度大于非光敏底层胶；

S3、两层胶涂覆完毕后采用曝光显影坚膜的方式把上层的光刻胶做成具有正梯形或者倒梯形槽口的胶形，并裸露出需要去除的非光敏底层胶；

S4、采用干法刻蚀的工艺对上层的光刻胶胶和裸露出来的非光敏底层胶一起进行干刻；

S5、干刻后，通过去胶液将非光敏底层胶上层残留的光刻胶去除，最终得到正梯形或者倒梯形胶形的产品，完成干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺。

2.根据权利要求1所述的一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其特征是，步骤S4中，调整干法刻蚀的参数，使上层干刻胶的干刻速率与非光敏底层胶的干刻速率一致。

3.根据权利要求1所述的一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其特征是，所述正梯形或者倒梯形槽口的斜面角度小于等于45°。

4.根据权利要求1所述的一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其特征是，所述非光敏底层胶通过旋涂的方式均匀涂覆在基板上。

5.根据权利要求1所述的一种干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺，其特征是，所述光刻胶通过旋涂的方式均匀涂覆在非光敏底层胶上。