[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法

说明书

本发明提供一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理方法包含以下步骤：取得衬底信息；选择液体更换步骤及浓度调整步骤中的任一个；第1处理液调整步骤，在所述选择的步骤中选择所述液体更换步骤的情况下，在所述处理槽的所述处理液不满足特定条件时，从所述处理槽排出所述处理槽的所述处理液的至少一部分，对所述处理槽供给硫酸及过氧化氢水；第2处理液调整步骤，在所述选择的步骤中选择所述浓度调整步骤的情况下，一边使所述处理槽的所述处理液经由连接于所述处理槽的配管循环，一边调整所述处理槽的所述处理液的浓度；及一边使在所述第1处理液调整步骤或所述第2处理液调整步骤中调整后的所述处理槽的所述处理液，经由连接于所述处理槽的配管循环，一边将所述衬底浸渍于所述处理槽的所述处理液。

技术领域

本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。

背景技术

在被处理衬底也就是例如半导体晶圆(以下，称为晶圆)的表面，有时会附着半导体装置的制造步骤中产生的物质。由于所述物质会降低半导体装置的特性，所以为了去除所述物质，使用多种药液进行晶圆表面的洗净。

SPM液用于晶圆表面的洗净。SPM液是硫酸与过氧化氢水的混合液。除了剥离残存在晶圆表面的抗蚀剂、去除将抗蚀剂灰化后的衬底的残渣外，SPM液还作为用来对元件分离后的衬底进行氧化处理的药液使用。SPM液不仅在例如一边使保持在旋转平台上的晶圆旋转一边对其表面供给药液的单片式处理装置中使用，还在将多片晶圆同时浸渍于装满药液的处理槽内并进行洗净的批量式处理装置中使用。

在批量式衬底处理装置中使用SPM液处理晶圆的情况下，一般将例如数十片晶圆浸渍于加热到100℃～130℃的SPM液内，且在经过特定时间后取出晶圆后，重复进行浸渍接下来的晶圆的动作，由此连续处理多片晶圆。在这种连续处理中，由于处理槽内的SPM液会附着在晶圆表面，其一部分被带出到处理槽外而液面高度降低，所以要在特定时刻对SPM液补充硫酸及过氧化氢水。

另外，已知过氧化氢为相对不稳定的物质。由于过氧化氢会随着时间经过分解为产生水，所以即便例如配合液面高度的降低而进行硫酸及过氧化氢水的补充，SPM液中的硫酸浓度也会随时间降低。当硫酸浓度降低时，污染物质的去除能力降低，所以产生定期停止使用所述处理槽的晶圆的处理，并对处理槽内的SPM液进行全量更换的作业，从而招致处理效率降低及/或药液消耗量增大、伴随于此的药液成本上升。因此，在批量式衬底处理装置中，研讨抑制去除污染物质的能力降低(专利文献1)。

在专利文献1的衬底处理装置中，在循环流路中，在加热器的下游侧补充硫酸。在专利文献1中，记载为通过在循环流路中在加热器的下游侧补充硫酸，而抑制将认为有助于有效去除污染物质的过氧化氢及卡罗酸直接加热而进行分解。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利2011-114305号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在专利文献1的衬底处理装置中，不管衬底的种类为何，都将处理槽的SPM浓度调整为固定。然而，根据衬底的种类，也有即便不严格调整处理槽的SPM浓度也能适当地处理衬底者，在专利文献1的衬底处理装置中，与处理衬底所需的硫酸及过氧化氢水的量相比，有时会无谓地使用硫酸及过氧化氢水。

本发明是鉴于所述问题而完成的，目的在于提供一种能避免硫酸及过氧化氢水的过量使用的衬底处理装置及衬底处理方法。

[解决问题的技术手段]