[发明专利]粘合带剥离方法和粘合带剥离装置在审
申请号: | 202310045049.8 | 申请日: | 2023-01-30 |
公开(公告)号: | CN116544165A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 松下孝夫 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社;日东精机株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;孙德崇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合 剥离 方法 装置 | ||
本发明提供一种能够防止工件产生变形或破裂等并且能够高精度地剥离粘贴于工件的粘合带的粘合带剥离方法和粘合带剥离装置。该粘合带剥离装置具备:保持台(3),其保持晶圆(W)的整个面中的晶圆(W)的外周部;以及剥离机构(5),其使具有平坦面(45)的剥离构件(37)的平坦面(45)抵接于保护带(PT)的表面,在利用剥离构件(37)折回保护带(45)的状态下拉拽保护带(PT),由此使保护带(PT)从晶圆(W)剥离,平坦面(45)构成为,在保护带(PT)从晶圆(W)剥离的方向即剥离方向(Vp)上具有晶圆(W)的长度(R1)的1/10以上的长度,并且在与剥离方向(Vp)正交的方向即正交方向(y)上比晶圆(W)的长度(R2)长。
技术领域
本发明涉及用于剥离粘贴于以半导体晶圆(以下适当地称作“晶圆”)为例的工件的粘合带的粘合带剥离方法和粘合带剥离装置。
背景技术
在晶圆的表面进行电路图案形成处理之后,实施将晶圆的背面整体均匀地磨削而薄型化的背面研磨处理。在进行该背面研磨处理之前,为了保护电路而在晶圆的表面粘贴保护用的粘合带(保护带)。将晶圆薄型化后,为了进行切割工序等各处理而将保护带剥离。
作为从晶圆剥离保护带的以往的方法,在背面磨削后利用粘贴辊在保护带的表面粘贴剥离用的粘合带(剥离带)。并且,使用了如下方法:利用带缘构件将粘贴于保护带的剥离带折回并且剥离,从而将剥离带和保护带作为一体地从晶圆剥离(例如,参照专利文献1)。
近年来,以高密度安装为目的,推进晶圆的进一步薄型化,作为一例,实施背面研磨处理以使其成为数十μm左右的薄度。通过这样的薄型化,晶圆的刚性降低,因此,薄型化后的晶圆较脆且容易产生应变。因此,作为对晶圆进行加强的方法,提出了通过以残留晶圆的外周部的方式进行背面研磨处理,从而加工成沿着外周残留有环状凸部的薄型的形状的方法。通过形成该环状凸部,在进行一般的操作工序的情况下能够防止晶圆的挠曲变形。
在背面研磨处理后从晶圆表面剥离保护带时,仅使背面的环状凸部与保持台接触来进行吸附保持,并且向保持台与晶圆背面之间供给流体来提高内压。在该状态下将剥离带粘贴于保护带,并且利用带缘构件将粘贴于保护带的剥离带折回并剥离,从而将保护带与剥离带一起从晶圆表面一体地剥离(参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2002-124494号公报
专利文献2:日本特开2008-034709号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,在具有这样的结构的现有例的情况下,存在如下的问题。
在以往的结构中,新确认了如下问题:在利用保持台保持着晶圆的外周部的状态下将粘贴于晶圆的保护带剥离的情况下,晶圆产生波动。若在剥离保护带时晶圆波动,则有可能因该波动导致晶圆发生变形或破裂,晶圆的处理效率降低这样的问题。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,其目的在于提供一种能够防止工件产生变形或破裂等并且能够高精度地剥离粘贴于工件的粘合带的、粘合带剥离方法和粘合带剥离装置。
用于解决问题的方案
本发明为了实现这样的目的,采用如下结构。
即,本发明的粘合带剥离方法是将粘贴于工件的粘合带从所述工件剥离的粘合带剥离方法,其特征在于,
该粘合带剥离方法具备:
工件保持过程,在该工件保持过程中,将所述工件载置于保持构件,利用所述保持构件保持所述工件整个面中的所述工件的外周部;以及
剥离过程,在该剥离过程中,使具有平坦面的剥离构件的所述平坦面抵接于所述粘合带的表面,在利用所述剥离构件使所述粘合带折回的状态下拉拽所述粘合带,由此使所述粘合带从所述工件剥离,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造