[发明专利]电子装置在审
| 申请号： | 202310033113.0 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN115863526A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 林明昌;颜子旻 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一基板；
一电子元件，所述电子元件通过一合金接合在所述基板上；以及
一第一层，设置在所述合金和所述电子元件之间；
其中所述合金包括锡和金，
其中所述第一层包括金，且所述合金中的金的含量大于所述第一层中的金的含量。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一层包括锡，且所述第一层中的锡的含量大于所述合金中的锡的含量。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一第二层，设置在所述合金和所述基板之间。
4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第二层包括金，所述第二层中的金的含量大于所述合金中的金的含量。
5.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第二层包括锡，所述合金中的锡的含量大于所述第二层中的锡的含量。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一开关元件，设置在所述基板上，且所述开关元件包括薄膜晶体管。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述合金还包括一金属元素M，所述金属元素M为铟和铋的其中一者，且在所述合金中，所述锡所占所述锡与所述金属元素M的总合的原子百分比的范围是60％至90％。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子元件为一发光二极管。
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