[发明专利]一种方片晶粒质量检测方法及系统

说明书

本发明提供一种方片晶粒质量检测方法及系统，该方法包括以下步骤：对方片进行抽检，得到抽测光电数据；获取与抽测光电数据对应的方片坐标数据；根据方片坐标数据得到圆片坐标数据，并根据圆片坐标数据得到全测光电数据；将抽测光电数据与全测光电数据进行差异对比，以判定抽检晶粒是否存在异常。通过获取方片坐标数据，并根据方片坐标数据得到圆片坐标数据，根据圆片坐标数据查询该异常抽检晶粒分选前的全测光电数据，通过将全测光电数据与抽测光电数据进行差异对比，若存在异常，可以基于圆片坐标数据得到该方片异常晶粒所处的圆片的分布位置，便于对异常晶粒所对应的测试设备及测试探针精准定位，排查异常来源，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种方片晶粒质量检测方法及系统。

背景技术

在LED半导体芯片行业，晶圆片(圆片)在测试点亮后，可以得到与每个晶粒对应的光电数据，通过分选机，将光电数据属于同一区间内的晶粒分选到一起，所分选在同一蓝膜上的所有晶粒组成一张方片(BIN)。

现有技术当中，需要在入库前对方片上的部分晶粒进行抽检，确认其光电性数据是否在允许偏差范围内，若落在范围内则PASS入库，若有个别晶粒落入区间范围外，则判定Fail，需重新测试分选，并人工排查异常来源。由于方片的质量监控仅针对分选后的方片抽检晶粒进行测试，通过查看其是否处于标签区间内，来判断晶粒是否合格，当存在异常晶粒时，需要人工排查异常来源，无法对异常来源快速进行排查，影响生产效率。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种方片晶粒质量检测方法，旨在解决现有技术中，存在方片异常晶粒时，无法对异常来源快速进行排查，影响生产效率的技术问题。

为了实现上述目的，本发明是通过如下技术方案来实现的：一种方片晶粒质量检测方法，包括以下步骤：

对方片进行抽检，得到抽检晶粒的抽测光电数据；

获取与所述抽测光电数据对应的抽检晶粒的方片坐标数据；

根据所述方片坐标数据得到对应的圆片坐标数据，并根据所述圆片坐标数据得到全测光电数据；

将所述抽测光电数据与所述全测光电数据进行差异对比，以判定所述抽检晶粒是否存在异常。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：通过对方片进行抽检，得到抽检晶粒的抽测光电数据，通过获取与抽测光电数据对应的抽检晶粒的方片坐标数据，并根据方片坐标数据得到对应的圆片坐标数据，根据圆片坐标数据查询该异常抽检晶粒的全测光电数据，通过将全测光电数据与抽测光电数据进行差异对比，判断其是否存在异常，若数据比对差异在预设范围内，则判定不存在异常，方片可以正常入库，若数据比对差异在预设范围外，则判定存在异常，可以基于圆片坐标数据得到该方片异常晶粒所处的圆片的分布位置，便于对异常晶粒所对应的测试设备及测试探针精准定位，排查异常来源，提高生产效率。

根据上述技术方案的一方面，在对方片进行抽检的步骤之前，所述方法还包括：

对晶圆片进行全测，以获取全部晶粒的全测光电数据；

将测试完成的晶圆片进行扩张，并对所述晶粒进行外观检查；

基于所述全测光电数据对所述晶圆片进行分选，得到方片。

根据上述技术方案的一方面，所述根据所述方片坐标数据得到对应的圆片坐标数据的步骤具体包括：

将所述方片坐标数据中的第一横坐标数据偏移预设单位量得到第二横坐标数据；

计算所述方片坐标数据中的第一纵坐标数据的相反值，得到第二纵坐标数据；

基于所述第二横坐标数据及所述第二纵坐标数据得到对应的圆片坐标数据。