[发明专利]一种方片晶粒质量检测方法及系统在审
申请号: | 202310030687.2 | 申请日: | 2023-01-10 |
公开(公告)号: | CN116046789A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 肖翔;王晓明;赵晓明;董国庆;文国昇;金从龙 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88;B07C5/34;B07C5/36;G01B11/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 何世磊 |
地址: | 330096 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶粒 质量 检测 方法 系统 | ||
1.一种方片晶粒质量检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
对方片进行抽检,得到抽检晶粒的抽测光电数据;
获取与所述抽测光电数据对应的抽检晶粒的方片坐标数据;
根据所述方片坐标数据得到对应的圆片坐标数据,并根据所述圆片坐标数据得到全测光电数据;
将所述抽测光电数据与所述全测光电数据进行差异对比,以判定所述抽检晶粒是否存在异常。
2.根据权利要求1所述的方片晶粒质量检测方法,其特征在于,在对方片进行抽检的步骤之前,所述方法还包括:
对晶圆片进行全测,以获取全部晶粒的全测光电数据;
将测试完成的晶圆片进行扩张,并对所述晶粒进行外观检查;
基于所述全测光电数据对所述晶圆片进行分选,得到方片。
3.根据权利要求2所述的方片晶粒质量检测方法,其特征在于,所述根据所述方片坐标数据得到对应的圆片坐标数据的步骤具体包括:
将所述方片坐标数据中的第一横坐标数据偏移预设单位量得到第二横坐标数据;
计算所述方片坐标数据中的第一纵坐标数据的相反值,得到第二纵坐标数据;
基于所述第二横坐标数据及所述第二纵坐标数据得到对应的圆片坐标数据。
4.根据权利要求1所述的方片晶粒质量检测方法,其特征在于,所述将所述抽测光电数据与所述全测光电数据进行差异对比,以判定所述抽检晶粒是否存在异常的步骤具体包括:
分别计算所述抽测光电数据与全测光电数据中对应电压数据的电压差值、波长数据的波长差值及亮度数据的亮度比值;
若所述电压差值、所述波长差值及所述亮度比值均处于预设误差范围内,判定所述抽检晶粒不存在异常。
5.根据权利要求4所述的方片晶粒质量检测方法,其特征在于,所述方法还包括:
分别根据所述电压差值、所述波长差值及所述亮度比值绘制对应的时间散点图;
根据所述时间散点图监控晶粒产出的稳定性。
6.根据权利要求1所述的方片晶粒质量检测方法,其特征在于,所述方法还包括:
记录异常的抽检晶粒的圆片坐标数据,根据所述圆片坐标数据绘制所述异常的抽检晶粒所在的圆片坐标散点图;
根据所述圆片坐标散点图监控异常晶粒所处的圆片位置。
7.一种方片晶粒质量检测系统,其特征在于,包括:
抽测模块,用于对方片进行抽检,得到抽检晶粒的抽测光电数据;
第一坐标模块,用于获取与所述抽测光电数据对应的抽检晶粒的方片坐标数据;
第二坐标模块,用于根据所述方片坐标数据得到对应的圆片坐标数据,并根据所述圆片坐标数据得到全测光电数据;
判断模块,用于将所述抽测光电数据与所述全测光电数据进行差异对比,以判定所述抽检晶粒是否存在异常。
8.根据权利要求7所述的方片晶粒质量检测系统,其特征在于,所述系统还包括:
全测模块,用于对晶圆片进行全测,以获取全部晶粒的全测光电数据;
扩张模块,用于将测试完成的晶圆片进行扩张,并对所述晶粒进行外观检查;
分选模块,用于基于所述全测光电数据对所述晶圆片进行分选,得到方片。
9.根据权利要求8所述的方片晶粒质量检测系统,其特征在于,所述第二坐标模块具体包括:
第一转换单元,用于将所述方片坐标数据中的第一横坐标数据偏移预设单位量得到第二横坐标数据;
第二转换单元,用于计算所述方片坐标数据中的第一纵坐标数据的相反值,得到第二纵坐标数据;
坐标转换单元,用于基于所述第二横坐标数据及所述第二纵坐标数据得到对应的圆片坐标数据。
10.根据权利要求7所述的方片晶粒质量检测系统,其特征在于,所述判断模块具体包括:
测量单元,分别计算所述抽测光电数据与全测光电数据中对应电压数据的电压差值、波长数据的波长差值及亮度数据的亮度比值;
判断单元,若所述电压差值、所述波长差值及所述亮度比值均处于预设误差范围内,判定所述抽检晶粒不存在异常。
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