[发明专利]一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物

权利要求书

1.一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物，其特征在于，所述组合物包括双马来酰亚胺树脂、烯丙基醚化酚醛树脂、酚醛树脂、环氧树脂、固化促进剂和无机填料；

所述烯丙基醚化酚醛树脂中酚羟基的醚化程度为10～70％；

所述双马来酰亚胺树脂的马来酰亚胺基与烯丙基醚化酚醛树脂的烯丙基的摩尔比为1：1～1：0.5；

所述烯丙基醚化酚醛树脂与酚醛树脂的质量比为1：9～9：1；

所述树脂组合物中环氧树脂的环氧当量与烯丙基醚化酚醛树脂和酚醛树脂的总羟基当量之比为1：1.5～1：0.8；

所述固化促进剂的含量为双马来酰亚胺树脂、烯丙基醚化酚醛树脂、酚醛树脂、环氧树脂四者总量的0.5～5wt％；

所述无机填料的含量为树脂组合物总量的70～90wt％。

2.根据权利要求1所述的一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物，其特征在于，所述烯丙基醚化酚醛树脂中酚羟基的醚化程度为25～55％；

所述双马来酰亚胺树脂的马来酰亚胺基与烯丙基醚化酚醛树脂的烯丙基的摩尔比为1：0.8～1：0.5；

所述烯丙基醚化酚醛树脂与酚醛树脂的质量比为1：5～5：1；

所述树脂组合物中环氧树脂的环氧当量与烯丙基醚化酚醛树脂和酚醛树脂的总羟基当量之比为1：1.5～1：0.8；

所述固化促进剂的含量为双马来酰亚胺树脂、烯丙基醚化酚醛树脂、酚醛树脂、环氧树脂四者总量的0.5～3wt％；

所述无机填料的含量为树脂组合物总量的75～85wt％。

3.根据权利要求1或2所述的一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物，其特征在于，所述烯丙基醚化酚醛树脂制备方法为：将酚醛树脂、烯丙基卤代烃、缚酸剂和溶剂加入容器中，在50～150℃下，反应4～48h，得到烯丙基醚化酚醛树脂。

4.根据权利要求3所述的一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物，其特征在于，所述酚醛树脂和烯丙基卤代烃按酚羟基和卤素反应官能团的摩尔比为10：1～10：7。

5.根据权利要求1或2所述的一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物，其特征在于，所述双马来酰亚胺树脂至少含有两个马来酰亚胺基团，包括以下式(1)和式(2)所示化学结构的物质：

式(1)中R₁为具有1～30个碳原子且含有芳环结构的有机基团，R₁进一步含有一个或多个氧、氮、硫、磷或卤素；

式(2)中不同位置的R₂各自独立地为氢、含有1～4个碳的烃基或卤素；n为0～15的整数。

6.根据权利要求1或2所述的一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物，其特征在于，所述固化促进剂为叔胺、咪唑类化合物、有机磷化合物、乙酰丙酮金属络合物、过氧化物中的一种或两种以上组合使用。

7.根据权利要求1或2所述的一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物，其特征在于，所述无机填料包括球形熔融二氧化硅，所述球形熔融二氧化硅的平均粒径为0.01～30μm。

8.根据权利要求7所述的一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物，其特征在于，所述球形熔融二氧化硅的含量为无机填料总量的50～100wt％。

9.根据权利要求1或2所述的一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物，其特征在于，所述组合物中还包括添加剂，所述添加剂包括硅烷偶联剂、着色剂、阻燃剂以及脱模剂中的一种或多种。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的一种第三代半导体功率器件封装用双马来酰亚胺树脂组合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将烯丙基醚化酚醛树脂和双马来酰亚胺树脂进行预混合，温度为60～120℃，搅拌5～30min，混合均匀，冷却至室温得到组分A；

S2、将固化促进剂与酚醛树脂进行预混合，温度为120～160℃，搅拌30～120min，混合均匀，冷却至室温得到组分B；

S3、将上述步骤所制得的组分A、组分B与环氧树脂、无机填料以及其他添加剂充分混合在一起，于80～120℃进行熔融捏合后，经冷却和粉碎，即得到所述树脂组合物。