[发明专利]一种二维环形光斑的质量检测方法、装置和存储介质

说明书

本申请涉及一种二维环形光斑的质量检测方法、装置和存储介质，其中，该二维环形光斑的质量检测方法包括：获取待检测的二维环形光斑的光强信息；根据光强信息确定二维环形光斑在检测线上的光强变化趋势，检测线包括自二维环形光斑的圆心向一侧延伸的射线；根据光强变化趋势确定二维环形光斑的质量。通过本申请，首先获取待检测的二维环形光斑的光强信息，然后确定二维环形光斑在至少一条检测线上的光强变化趋势。二维环形光斑内侧的光强降低速率越快，则其质量越好，也就越适合作为抑制光。解决了相关技术中存在无法有效地筛选出刻写效果好的二维环形光斑的问题。

技术领域

本申请涉及超精密刻写领域，特别是涉及一种二维环形光斑的质量检测方法、装置和存储介质。

背景技术

双光子激光直写技术是目前实现微纳尺度3D打印最有效的一种技术，在航空航天、微电子器件、量子芯片、硅光芯片、微光学、力学超材料、再生医学工程等领域有着重要应用。为了提高刻写精度，科研人员提出了边缘光抑制(PPI)技术。该技术使用两个光束，分别称为激发光和抑制光，其中激发光用于刻写，抑制光用于抑制结构边缘的聚合过程。通过两束光的共同作用，从而可以达到小于50nm的刻写特征尺寸。

基于PPI技术的原理，对激发光叠加抑制光可以进一步缩小刻写线宽。但在实验中发现，抑制光在减小线宽的同时也会对刻写结构的效果产生影响。通常抑制光为二维环形光斑，由于不同的二维环形光斑会对刻写结构产生不同的影响，因此需要对二维环形光斑进行质量检测，确定出刻写效果好的二维环形光斑。但是现有技术中还缺乏二维环形光斑的质量检测方法，因此无法有效地筛选出刻写效果好的二维环形光斑。

针对相关技术中存在无法有效地筛选出刻写效果好的二维环形光斑的问题，目前还没有提出有效的解决方案。

发明内容

在本发明中提供了一种二维环形光斑的质量检测方法、装置和存储介质，以解决相关技术中存在无法有效地筛选出刻写效果好的二维环形光斑的问题。

第一个方面，在本发明中提供了一种二维环形光斑的质量检测方法，所述方法包括：

获取待检测的二维环形光斑的光强信息；

根据所述光强信息确定所述二维环形光斑在检测线上的光强变化趋势，所述检测线包括自所述二维环形光斑的圆心向一侧延伸的射线；

根据所述光强变化趋势确定所述二维环形光斑的质量。

在其中的一些实施例中，所述获取待检测的二维环形光斑的光强信息包括：

通过雪崩光电二极管或光电倍增管扫描待检测的所述二维环形光斑，得到所述二维环形光斑的光强信息。

在其中的一些实施例中，所述根据所述光强信息确定所述二维环形光斑在检测线上的光强变化趋势包括：

确定所述二维环形光斑在所述检测线上的光强最高点，计算所述二维环形光斑自所述光强最高点沿指向圆心方向的光强下降速率；

所述根据所述光强变化趋势确定所述二维环形光斑的质量包括：

根据所述光强下降速率确定所述二维环形光斑的质量，所述二维环形光斑的质量与所述光强下降速率呈正相关。

在其中的一些实施例中，所述检测线为中轴线，所述根据所述光强信息确定所述二维环形光斑在检测线上的光强变化趋势包括：

根据所述光强信息生成所述二维环形光斑在中轴线上的光强双峰曲线，所述光强双峰曲线的横坐标表示位置及其纵坐标表示光强；

确定所述光强双峰曲线对应于多个不同纵坐标的内侧间距，计算多个所述内侧间距的标准差；

所述根据所述光强变化趋势确定所述二维环形光斑的质量包括：