[发明专利]一种低温共烧生瓷、制备方法及陶瓷基板

权利要求书

1.一种低温共烧生瓷，其特征在于，所述低温共烧生瓷的成分包括玻璃粉体、陶瓷粉体、溶剂以及添加剂；所述玻璃粉体为改性钙硼硅玻璃粉体，所述陶瓷粉体为α-氧化铝，或α-氧化铝和二氧化硅的混合物，或α-氧化铝和钛酸钙的混合物。

2.根据权利要求1所述一种低温共烧生瓷，其特征在于，所述改性钙硼硅玻璃粉体的成分及各成分的质量份数为，二氧化硅40～65份、氧化硼3～20份、氧化钙4～25份、氧化铅0～20份、氧化镁0～5份、氧化铝2～15份、氧化钛0～4份、氧化锌0～5份、氧化锆0～10份、氧化钠1～10份、氧化钾1～10份、氧化锶2～4份。

3.根据权利要求1所述一种低温共烧生瓷，其特征在于，所述玻璃粉体和所述陶瓷粉体的粉体粒径中位数相同或不同，所述粉体粒径的中位数为1.3～3.2μm。

4.根据权利要求1～3任意一项所述一种低温共烧生瓷，其特征在于，所述低温共烧生瓷的浆料中，各成分的质量份数为，所述玻璃粉体为20～40份、所述α-氧化铝为17～40份、二氧化硅为0～10份、所述钛酸钙质量分数0～10份，所述溶剂为26～42份，所述添加剂为3.5～14份。

5.根据权利要求4所述一种低温共烧生瓷，其特征在于，所述溶剂为第一有机溶剂和第二有机溶剂的混合物，或为所述第一有机溶剂、所述第二有机溶剂和第三有机溶剂的混合物；

其中，所述第一有机溶剂为乙醇，所述第二有机溶剂为乙酸乙酯、丁酮、异丙酮中的一种或多种，所述第三有机溶剂为正丁醇。

6.根据权利要求5所述一种低温共烧生瓷，其特征在于，所述添加剂包括分散剂、粘接剂和增塑剂；其中，所述分散剂的质量为所述玻璃粉体和所述陶瓷粉体总质量的1％～5％，所述粘接剂的质量为所述玻璃粉体和所述陶瓷粉体总质量的5％-12％，所述增塑剂的质量为所述粘接剂质量的25％-50％。

7.一种如权利要求1～6任意一项所述的低温共烧生瓷制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1-3、分别称取所述改性钙硼硅玻璃粉体和所述陶瓷粉体，加入所述溶剂和所述添加剂，球磨制备得到生瓷浆料；

S1-4、将所述生瓷浆料经脱泡、流延工艺，得到所述低温共烧生瓷。

8.根据权利要求7所述一种低温共烧生瓷制备方法，其特征在于，所述改性钙硼硅玻璃粉体的制备步骤如下：

S1-1、称取所述改性钙硼硅玻璃粉体的各成分并混合均匀，加热至熔融状态并保温，保温后将熔融的混合物倒入去离子水中冷却至室温，得到玻璃固化物；其中，加热的温度为1400～1600℃，保温时间为1h；

S1-2、将所述玻璃固化物取出并烘干，烘干后制粉，得到所述改性钙硼硅玻璃粉体。

9.一种陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板采用权利要求1～6任意一项所述的低温共烧生瓷制备得到。

10.一种如权利要求9所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S2-1、将所述低温共烧生瓷经切割、叠层、温等静压的步骤得到低温共烧生坯；

S2-2、将所述低温共烧生坯以2℃/min的速度升温至450℃，之后，排胶1-3h；再以5-8℃/min的速度升温至830-900℃，保温10～30min，最后以10℃/min的速度降温至室温，得到所述陶瓷基板。