[实用新型]一种晶圆边缘处理装置

说明书

本实用新型公开了一种晶圆边缘处理装置，包括：升降组件，与晶圆减薄设备中的支撑架连接；伺服旋转组件，与所述升降组件连接；处理组件，连接在所述伺服旋转组件的底部，其包括底盘，底盘的底面设有弧形磨抛件和喷嘴；气液接头，通过所述处理组件内部的气液路与喷嘴连通。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种晶圆边缘处理装置。

背景技术

集成电路的制造过程通常分为：硅片制造、前道工艺和后道工艺。后道工艺的主要目的是将生长有电路器件的整张晶圆制作成一个个独立的成品芯片。后道工艺的制程大致可以分为：背面减薄、晶圆切割、晶圆贴装、引线键合、塑封、激光打印、切筋成型和成品测试等8个主要步骤。晶圆的背面减薄(Grinding)指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态。

减薄设备中集成了磨削和化学机械抛光(CMP)的功能部件，磨削过程会将晶圆背面减薄到一个较低的水平，例如10μm左右，这种单侧极薄的晶圆在磨削过程和CMP过程中其边缘位置容易产生碎裂，也就是说晶圆的边缘会发生晶体剥离从而产生碎渣(俗称碎边)，尤其在CMP过程中，为了提升效率抛光过程会保持在一个较高的去除速率下进行，高压力下晶圆边缘剥离碎渣会残留在抛光垫上，容易引起晶圆的划伤甚至出现碎片、废片的情况。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种晶圆边缘处理装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本实用新型实施例提供了一种晶圆边缘处理装置，包括：

升降组件，与晶圆减薄设备中的支撑架连接；

伺服旋转组件，与所述升降组件连接；

处理组件，连接在所述伺服旋转组件的底部，其包括底盘，底盘的底面设有弧形磨抛件和喷嘴；

气液接头，通过所述处理组件内部的气液路与喷嘴连通。

在一个实施例中，弧形磨抛件覆盖晶圆的部分边缘。

在一个实施例中，在边缘处理过程中，所述底盘与晶圆相对倾斜，底盘相较晶圆圆心更靠近晶圆边缘。

在一个实施例中，磨抛的时候所述底盘与晶圆之间的倾斜角为0.1～5度。

在一个实施例中，多个所述弧形磨抛件均匀间隔地设置在底盘的底面靠近边缘的位置。

在一个实施例中，喷嘴沿底盘的半径方向设置有多个。

在一个实施例中，位于外侧的喷嘴设置为倾斜喷射，倾斜方向朝向边缘。

在一个实施例中，弧形磨抛件包括弧形油石和弧形毛刷。

在一个实施例中，弧形磨抛件包括弧形抛光垫和弧形毛刷。

在一个实施例中，弧形抛光垫的底面设有网格状沟槽或切向沟槽。

在一个实施例中，弧形磨抛件覆盖晶圆的完整边缘。

本实用新型实施例的有益效果包括：利用处理组件磨抛晶圆的边缘可以磨掉边缘的尖端，使晶圆边缘趋于圆滑，减少的抛光过程中边缘易产生碎渣的可能。

附图说明

通过结合以下附图所作的详细描述，本实用新型的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本实用新型的保护范围，其中：

图1示出了本实用新型一实施例提供的晶圆减薄设备；

图2示出了本实用新型一实施例提供的晶圆边缘处理装置；

图3示出了实施例1提供的处理组件；

图4示出了实施例2提供的处理组件；