[实用新型]半导体加工终端过滤装置有效
申请号: | 202223179528.9 | 申请日: | 2022-11-30 |
公开(公告)号: | CN218980737U | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 凌海;徐建;陈磊;季昌明 | 申请(专利权)人: | 江阴东为资源再生技术有限公司 |
主分类号: | B01D35/02 | 分类号: | B01D35/02;B01D29/05;B01D29/58;B01D29/96 |
代理公司: | 江阴市权益专利代理事务所(普通合伙) 32443 | 代理人: | 吴丽娜 |
地址: | 214434 江苏省无锡市江阴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 加工 终端 过滤 装置 | ||
本实用新型涉及一种半导体加工终端过滤装置,所述过滤装置安装在抛光研磨液的出口管路上,包含通过卡盘(3)连接的上管(1)和下管(2);在上管(1)和下管(2)的卡盘(3)接触面上设有环形凹陷部,在凹陷部内设置过滤布(4)和密封圈(5);所述上管(1)和下管(2)的内孔截面积大于抛光研磨液出口管的内孔截面积。本实用新型结构简单高效,能有效过滤掉在抛光研磨液出口管内结晶团聚的大磨料颗粒,确保研磨液质量稳定,提高硅片研磨抛光质量。
技术领域
本实用新型涉及一种半导体加工终端过滤装置,属于半导体生产设备技术领域。
背景技术
在第三代碳化硅(SiC)半导体芯片生产工艺中,SiC硅片的加工需要对硅片的表面进行研磨抛光处理,即在含有研磨材料的研磨液下进行研磨抛光处理。在硅片研磨抛光生产过程中,由于研磨材料颗粒的粒径较小,其稳定性较差,在研磨液中非常容易发生结晶团聚,在研磨供液管路中即可发生部分结晶团聚,导致在研磨终端进行研磨抛光时,结晶团聚出现的大颗粒研磨材料造成硅片表面产生划痕甚至划伤。
现有针对半导体硅片研磨液处理的技术中,多为将经研磨后的研磨液无害化处理或经过滤调整后再循环使用,而对研磨时研磨液供液管路中出现的上述研磨材料结晶团聚引起的硅片研磨抛光质量问题没有相应的解决方案。
因此,半导体硅片研磨加工工艺中亟需一种能确保研磨液质量稳定、提高硅片研磨抛光质量的技术方案。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种结构简单、能确保研磨液供液质量稳定确保硅片研磨抛光质量的半导体加工终端过滤装置。
本实用新型的目的是这样实现的:
一种半导体加工终端过滤装置,所述过滤装置安装在抛光研磨液的出口管路上,包含通过卡盘连接的上管和下管;在上管和下管的卡盘接触面上设有环形凹陷部,在凹陷部内设置过滤布和密封圈;所述上管和下管的内孔截面积大于抛光研磨液出口管的内孔截面积。
进一步的,所述上管和下管的卡盘通过快速卡箍固定连接。
进一步的,所述过滤布为双层尼龙过滤布,目数为200目。
进一步的,所述上管和下管的内孔截面积是抛光研磨液出口管的内孔截面积的3倍以上。
进一步的,所述上管的入口端安装有软管连接头。
进一步的,所述下管的出口端安装有扇形喷嘴。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型结构简单,通过在研磨液出口管路上安装过滤布的方式,将研磨液出口管路内结晶团聚形成的大磨料颗粒拦截过滤,确保参与硅片研磨的研磨液质量稳定;为了避免在管路上增加过滤布而影响研磨液的供液速度和供液量,采取增加整个过滤装置上管和下管的内孔截面积的方式,提高过滤速度,确保研磨供液不受影响;采用卡盘快装结构的连接方式,使更换过滤布简单快速、高效且成本低,确保研磨液质量稳定、提高硅片研磨抛光质量。
附图说明
图1为本实用新型半导体加工终端过滤装置的立体结构视图。
图2为本实用新型半导体加工终端过滤装置的正视结构示意图。
图3为本实用新型半导体加工终端过滤装置的剖面结构示意图。
其中:
上管1、下管2、卡盘3、过滤布4、密封圈5、快速卡箍6、软管连接头7、扇形喷嘴8。
具体实施方式
参见图1~3,本实用新型涉及的一种半导体加工终端过滤装置,所述过滤装置安装在抛光研磨液的出口管路上,包含通过快速卡箍6或螺栓将设有卡盘3的上管1和下管2固定连接,其中快速卡箍6对快速拆装、快速更换过滤布4更有优势;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴东为资源再生技术有限公司,未经江阴东为资源再生技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202223179528.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。