[实用新型]一种用于晶圆颗粒的收料装置有效
申请号: | 202223162942.9 | 申请日: | 2022-11-23 |
公开(公告)号: | CN218677091U | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 苏奕翰;苏玫树;李玫媛;肖思敏 | 申请(专利权)人: | 深圳市固得沃克电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/687 |
代理公司: | 深圳市汇信知识产权代理有限公司 44477 | 代理人: | 张志凯 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区华*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 颗粒 装置 | ||
本实用新型公开了一种用于晶圆颗粒的收料装置,包括第一输送带、晶圆收纳盒、第二输送带和顶升机构;晶圆收纳盒设置有横向阵列布置的若干个,第二输送带上固定安装有若干个导轨,晶圆收纳盒的后侧成型有滑槽,滑槽一一对应滑动配合安装在导轨上;第一输送带设置在其中一个晶圆收纳盒的前方,第一输送带上放置有若干个晶圆颗粒,晶圆收纳盒的前侧成型有收纳槽,收纳槽内的左右两侧均成型有若干个插槽,左右两侧的插槽之间相互对称设置,晶圆颗粒一一对应间隙配合插入到两个插槽之间完成收纳;顶升机构包括气缸和顶升块,气缸设置在第一输送带的下方,气缸驱动顶升块升降移动,晶圆收纳盒的下侧成型有底板,顶升块顶住底板带动晶圆收纳盒升降移动。
技术领域
本实用新型涉及自动化设备领域,尤其是涉及一种用于晶圆颗粒的收料装置。
背景技术
目前半导体生产中常将圆柱体单晶硅从圆形截面切分为多个硅晶圆片,即晶圆,再将晶圆进行划片操作,切分为多个矩形的晶圆颗粒,划片后的晶圆颗粒需要暂时存储于晶圆颗粒收纳盘中,再晶圆颗粒经去毛刺、电镀、切筋打弯后即生产为一个半导体芯片。
晶圆颗粒生产完成后,需要进行收料存放,中国实用新型专利中公开了(公开号:CN214428607U公开日:20211019)一种晶圆颗粒收纳盘,解决了晶圆颗粒收纳后难以取出的缺陷,但是却不能实现晶圆颗粒的自动化收料,收料时容易刮花晶圆颗粒的表面,导致不良品较多。
实用新型内容
本实用新型为克服上述情况不足,提供了一种能解决上述问题的技术方案。
一种用于晶圆颗粒的收料装置,包括第一输送带、晶圆收纳盒、第二输送带和顶升机构;
晶圆收纳盒设置有横向阵列布置的若干个,第二输送带上固定安装有若干个导轨,导轨竖向设置,晶圆收纳盒的后侧成型有滑槽,滑槽一一对应滑动配合安装在导轨上;
第一输送带设置在其中一个晶圆收纳盒的前方,第一输送带上放置有若干个晶圆颗粒,晶圆收纳盒的前侧成型有收纳槽,收纳槽内的左右两侧均成型有若干个插槽,左右两侧的插槽之间相互对称设置,晶圆颗粒一一对应间隙配合插入到两个插槽之间完成收纳;
顶升机构包括气缸和顶升块,气缸设置在第一输送带的下方,气缸驱动顶升块升降移动,晶圆收纳盒的下侧成型有底板,顶升块顶住底板带动晶圆收纳盒升降移动。
作为本实用新型进一步的方案:底板的下侧镶嵌安装有铁片,顶升块的上侧镶嵌安装有磁铁,铁片一一对应磁吸配合安装在磁铁上。
作为本实用新型进一步的方案:导轨前侧的下端成型有限位块,晶圆收纳盒设置在限位块的上方。
作为本实用新型进一步的方案:第一输送带上方的左右两侧均设置有摆正挡板,两个摆正挡板之间组成前宽后窄的通道,两个摆正挡板之间的距离大于晶圆颗粒的直径。
作为本实用新型进一步的方案:晶圆收纳盒上端的前侧成型有半圆拨动槽,半圆拨动槽通入收纳槽设置。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:晶圆颗粒生产完成后通过第一输送带输送到对应的晶圆收纳盒内,气缸通过顶升块驱动晶圆收纳盒进行升降,导轨和滑槽的设置能够保证晶圆收纳盒的稳定升降,让插槽的高度等同于晶圆颗粒所在的高度,然后通过第一输送带驱动晶圆颗粒输送到对应高度的两个插槽之间完成自动收纳,晶圆收纳盒装满后,可以通过第二输送带切换到下一个空载的晶圆收纳盒。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造