[实用新型]一种绝缘栅器件的Bus结构

说明书

本实用新型公开了一种绝缘栅器件的Bus结构，包括多条多晶硅栅，相互间隔排布在多晶以及源区上，用于连接所有的栅极；相邻的多晶硅栅之间，通过间隔的多晶块连接。本实用新型主要是针对Bus设计成分离结构，这样有利于电场向终端区扩展，最后在终端的外围击穿，有利于提升期间的耐压。

技术领域

实用新型涉及VDMOS芯片制造技术领域，具体为一种绝缘栅器件的Bus结构。

背景技术

场效应管是电压控制的一种放大器件，是组成数字集成电路的基本单元，其中垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(Vertical Double-diffused Metal OxideSemiconductor，简称VDMOS)是场效应管中的一种，其具有大的静态输入阻抗特性，具有较快的开关时间等优点，广泛应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关等领域中。由于VDMOS在正面有源极和栅极两个电极，因此需要采用相关工艺及设计将源极互联，栅极互联且源极与栅极分离。。

现有技术中栅极一般通过淀积多晶硅的制作，再通过多晶BUS将所有栅极连接到一起，再在BUS上制作孔与表层的金属互联(参照图5所示)。在这种工艺基础上，有源区与终端之间的间距大，容易导致电场在靠近有源区集中，从而导致击穿，使期间的耐压降低.

实用新型内容

针对现有技术的不足，实用新型提供了一种绝缘栅器件的Bus结构。

为实现上述目的，实用新型提供如下技术方案：一种绝缘栅器件的Bus结构，包括多条多晶硅栅，相互间隔排布在多晶以及源区上，用于连接所有的栅极；

相邻的多晶硅栅之间，通过间隔的多晶块连接。

优选的，该Bus结构为一体成型结构。

优选的，Bus结构上设置有接触孔，与表层金属互连。

优选的，Bus结构在成型步骤中，先通过仿真，在多晶层光刻版设计时，设计成分离的Bus结构，再通过光刻--刻蚀的方法，在硅片上形成所需结构。

本实用新型主要是针对Bus设计成分离结构，这样有利于电场向终端区扩展，最后在终端的外围击穿，有利于提升期间的耐压。

附图说明

图1为实用新型Bus结构的整体结构示意图；

图2为实用新型Bus结构的俯视示意图；

图3为实用新型Bus结构与多晶3以及源区2的分布示意图；

图4为实用新型Bus结构改进前后的对比示意图；

图5为现有的Bus结构示意图。

具体实施方式

下面将结合实用新型实施例中的附图，对实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于实用新型保护的范围。

请参阅附图，一种绝缘栅器件的Bus结构，如附图1-2所示，Bus结构1包括多条多晶硅栅，相互间隔排布在多晶以及源区上，用于连接所有的栅极；

相邻的多晶硅栅之间，通过间隔的多晶块连接。

在制作时，根据器件的仿真结果，在多晶层的光刻版设计时设计成分离的BUS结构，再通过光刻--刻蚀最终在硅片上形成所需的结构。

继续参照图4所示，相比于传统的Bus结构，本实用新型优化后的方案，能将传统耐压值560V提升到大于690V。

尽管已经示出和描述了实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。