[实用新型]一种反应离子蚀刻系统

说明书

本实用新型涉及数控机床技术领域，具体为一种反应离子蚀刻系统，包括机架，所述机架内安装有真空泵组，所述机架的顶部固定有真空管道，所述真空管道与真空泵组连接，所述真空管道的一侧安装有RF匹配器，所述RF匹配器的上方设置有工艺壳体，所述工艺壳体内开设有工艺腔体；本实用新型通过设置电极间距调节机构，使该装置的电极片间距能够调节，代替传统的固定式电极方式作业，当对产品批量性作业时，能够适用于多种产品，且活动是电极片在制作时，不需要通过测试匹配，使该结构无论是在制作还是在使用过程中，均能提高便捷性和批量性作业的工作效率，同时能够通过免去测试匹配降低成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体材料干法刻蚀技术领域，具体为一种反应离子蚀刻系统。

背景技术

在半导体工艺中，光刻胶在每道工艺结束后，或者在下一道工艺之前都需要进行表面处理或直接去除。等离子体刻蚀或去胶作为半导体工艺中关键一步。等离子体刻蚀或去胶的工作原理为将工艺气体(如氩气Ar、氧气O2、氮气N2、氯气Cl2、四氟化碳CF4、六氟化硫SF6等)通入工艺腔内，通过电激励或光激励方式将工艺气体进行解离、激发或电离等，被离化的自由基或离子通过自由扩散至晶圆表面，并与晶圆相互作用进行相应的刻蚀或去胶。

如中国专利CN214753638U公开的一种等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置包括腔体；进气口，进气口设于腔体的一侧，用于供目标气体通入腔体；排气口，排气口设于腔体远离进气口的一侧，用于排气；第一电极组件，第一电极组件设于腔体远离进气口的一侧，第一电极组件的不同区域相独立，能够接入不同的电压；第二电极组件，第二电极组件设于腔体远离第一电极组件的一侧，且与第一电极组件相对。通过第一电极组件的不同区域可接入不同的电压，能够实现差异化的电压控制，在一些蚀刻过程中，通过上述等离子体蚀刻装置能够达到改善蚀刻均一性的效果。

现有技术方案多采用反应离子方式，但现有技术设备中大部分搭载的仍然为间距固定式电极方式作业，对于批量性或实验频繁性的作业而言有一定限制，且制作固定电极装配间距时需通过测试匹配方式实现，相较而言成本偏高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种反应离子蚀刻系统，用以解决现有技术存在匹配间距切换耗时长，成本高的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种反应离子蚀刻系统，包括机架，所述机架内安装有真空泵组，所述机架的顶部固定有真空管道，所述真空管道与真空泵组连接，所述真空管道的一侧安装有RF匹配器，所述RF匹配器的上方设置有工艺壳体，所述工艺壳体内开设有工艺腔体，所述工艺腔体内设置有喷淋组件和电极片本体，所述工艺壳体内设置有电极密封支撑柱，所述电极密封支撑柱的底端设置有电极片本体的间距调节机构，所述工艺壳体的一侧设置有真空连接组件，所述工艺壳体的顶部设置有产品装载平台。

优选的，所述真空连接组件包括真空挡板阀，所述工艺壳体的一侧安装有真空计，所述真空计与工艺腔体连通，所述工艺壳体的底部安装有真空抽口，所述真空挡板阀通过管道与真空抽口连接，所述工艺壳体的一侧安装有真空门阀，所述真空门阀与工艺腔体连通。

优选的，所述喷淋组件包括匀气喷淋板，所述匀气喷淋板安装在工艺腔体内，所述匀气喷淋板呈圆盘形设置，所述匀气喷淋板的上表面设置有若干圆形通孔。

优选的，所述电极片本体包括上电极片和下电极片，所述上电极片安装在工艺腔体的顶部，所述下电极片安装在电极密封支撑柱的顶部，所述电极密封支撑柱的底端贯穿工艺壳体且与工艺壳体滑动连接。

优选的，所述间距调节机构包括支架，所述支架通过螺丝与RF匹配器的上表面固定连接，所述支架内转动连接有螺杆，所述支架内设置有驱动螺杆转动的驱动机构，所述支架的上表面设置有导向柱。

优选的，所述驱动机构包括伺服电机和传动带，所述伺服电机与基板固定连接，所述螺杆设置有两个，每个所述螺杆的一端均固定有传动轮，所述伺服电机的输出端通过转轴与其中一个传动轮固定连接，所述传动带的两端位于两个传动轮外。