[实用新型]晶圆减薄装置

说明书

本申请涉及一种晶圆减薄装置，晶圆减薄装置用于对晶圆进行减薄。晶圆减薄装置包括承载上料机构以及减薄机构，其中，晶圆放置于承载上料机构上，承载上料机构与减薄机构相对设置，减薄机构包括盛载有第一溶液的刻蚀液容器以及与刻蚀液容器选择性连通的喷射组件，喷射组件与承载上料机构上放置的晶圆对准，刻蚀液容器与喷射组件相连通，使得第一溶液通过喷射组件喷射至晶圆表面。在本申请的晶圆减薄装置中，第一溶液对晶圆进行刻蚀减薄，减薄晶圆的整体厚度，机械结构稳定性好，避免出现晶格损伤、划痕、崩边甚至破片，有效提升晶圆减薄的良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片制造领域，尤其涉及一种晶圆减薄装置。

背景技术

在发光二极管(Light Emitting Diode，LED)芯片生产过程中，LED芯片的研磨工艺主要是借助晶圆研磨装置对已完成功能的晶圆的背面基体材料进行磨削，以减掉一定厚度。这样有利于对研磨后的晶圆进行封装，同时达到对LED芯片的物理强度、散热性、尺寸等要求。

然而，现有的晶圆研磨装置通常存在机械结构稳定性较差、磨料力度和转速难以控制、易掺杂异物等问题，容易引起晶圆的晶格损伤，导致出现较深划痕或边缘崩边甚至破片的现象。

实用新型内容

鉴于现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种晶圆减薄装置，通过控制第一溶液刻蚀晶圆表面涂覆的材料，以减薄所述晶圆的整体厚度，有效地解决了传统晶圆研磨装置存在机械结构稳定性较差、磨料力度和转速难以控制、易掺杂异物等问题，避免了出现晶格损伤、较深划痕、崩边甚至破片的缺陷，有效提升了晶圆减薄的良率。

本申请提供了一种晶圆减薄装置，用于对晶圆进行减薄。所述晶圆减薄装置包括承载上料机构以及减薄机构，其中，所述晶圆放置于所述承载上料机构上，所述承载上料机构与所述减薄机构相对设置，所述减薄机构包括盛载有第一溶液的刻蚀液容器以及与所述刻蚀液容器选择性连通的喷射组件，所述喷射组件与所述承载上料机构上放置的晶圆对准，所述刻蚀液容器与所述喷射组件相连通，使得所述第一溶液通过所述喷射组件喷射至所述晶圆表面。

综上所述，晶圆减薄装置设置刻蚀液容器以及喷射组件，通过第一溶液刻蚀晶圆表面涂覆的材料，以减薄所述晶圆的整体厚度，机械结构稳定，避免了出现晶格损伤、较深划痕、崩边甚至破片的缺陷，有效提升了晶圆减薄的良率。

可选地，所述承载上料机构包括承载组件、基座以及与所述基座转动连接的运料传输组件，其中，所述承载组件与所述运料传输组件连接，且放置有所述晶圆，所述运料传输组件相对于所述基座移动，使得放置于所述承载组件内的晶圆转移至所述喷射组件处且与所述喷射组件相对准，或者将所述晶圆从与所述喷射组件相对准的位置移开。

综上所述，晶圆减薄装置设置运料传输组件和承载组件，使得晶圆可以与所述喷射组件相对准，或者从与所述喷射组件相对准的位置移开，方便对晶圆减薄前后的上料和下料，使得减薄操作更加方便。

可选地，所述承载组件包括底座、承载盘以及至少一个胶盘，所述底座与所述运料传输组件连接，并在所述运料传输组件的带动下被转移至与所述喷射组件相对准的位置，或者从与所述喷射组件相对准的位置移开；所述承载盘容置于所述底座内且设置于所述底座背对所述运料传输组件的一侧，所述胶盘容置于所述承载盘内且位于所述承载盘背向所述底座的一侧，所述晶圆容置于所述胶盘内。

可选地，所述胶盘的高度大于或等于500微米，且小于或等于1000微米。

综上所述，将胶盘设置较厚，处于500～1000微米之间，使得第一溶液与晶圆的表面反应时不会与晶圆减薄装置的其他结构发生反应，可以有效提高所述晶圆减薄装置各结构的稳定性以及晶圆减薄的良率。