[实用新型]一种半环形阵列式PCB整流硅堆有效

专利信息
申请号: 202222772499.0 申请日: 2022-10-20
公开(公告)号: CN218447905U 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 陈岗;夏冰成 申请(专利权)人: 鞍山雷盛电子有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/467;H05K1/02
代理公司: 鞍山嘉讯科技专利事务所(普通合伙) 21224 代理人: 张群
地址: 114000 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 环形 阵列 pcb 整流
【说明书】:

本实用新型提供一种半环形阵列式PCB整流硅堆,包括PCB半环形支架、PCB横向支架和高压二极管,所述的PCB半环形支架包括多个,多个PCB半环形支架依次布置,通过PCB横向支架进行固定,相邻的两个PCB半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管;PCB板采用半环形支架,将串联的高压二极管布置在两个PCB半环形支架间,可以串联的高压二极管更多,体积更小,将串联的高压二极管阵列式布置在两个PCB半环形支架间,高压二极管的四周均可散热,从而增加了高压高压二极管的散热空间,散热效果更好,相同体积的情况下,串联的高压二极管更多,使得元件的耐压效果更好。

技术领域

本实用新型涉及整流硅堆技术领域,尤其涉及一种半环形阵列式PCB整流硅堆。

背景技术

硅堆是把几个高压二极管串联后封装在树脂中,是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。高压设备通常需要串联的高压二极管数量众多。常规的硅堆的结构是好多个高压二极管串联封闭浇筑在树脂胶内,造成其容量受限,散热效果不好。当高压设备中需要串联的高压二极管数量多时,普通硅堆使用起来较为麻烦。

公开号为CN209298111U的中国专利公开了一种三维立体结构形式整流硅堆,采用立体空间的自然散热结构,将串联的高压二极管安装在PCB竖板上,虽改善了浇筑结构的硅堆结构大、散热效果差的不足,但其设计的结构为方形结构,且高压二极管安装在PCB竖板上,高压二极管之间的散热距离受限,整体体积和散热效果仍不理想。

发明内容

为了解决背景技术中的技术问题,本实用新型提供了一种半环形阵列式PCB整流硅堆,不在PCB板上安装高压二极管,而是将二级管安装在PCB板之间,散热效果更好,半圆形的结构使得体积更小,同样体积情况下二级管数量更多,耐压效果也更好。

为了达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案实现:

一种半环形阵列式PCB整流硅堆,包括PCB半环形支架、PCB横向支架和高压二极管,所述的PCB半环形支架包括多个,多个PCB半环形支架依次布置,通过PCB横向支架进行固定,相邻的两个PCB半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管。

进一步地,还包括底座,底座为L型结构,固定在最外侧的两个PCB半环形支架的外侧下端。

进一步地,所述的PCB半环形支架顶部和底部两端位置各设有卡槽,所述的PCB横向支架分别安装在PCB半环形支架的顶部和底部两端的卡槽上,将多个PCB半环形支架固定住。

进一步地,所述的多个高压二极管为电气串联连接。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1)PCB板采用半环形结构,并将串联的高压二极管布置在两个PCB半环形支架间,可以串联的高压二极管更多,体积更小;

2)将串联的高压二极管阵列式布置在两个PCB半环形支架间,高压二极管的四周均可散热,从而增加了高压二极管的散热空间,散热效果更好;

3)相同体积的情况下,串联的高压二极管更多,使得元件的耐压效果更好。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是本实用新型的分解结构第一方向示意图;

图3是本实用新型的分解结构第二方向示意图;

图4是本实用新型的底座结构示意图;

图5是本实用新型的高压二极管电气连接示意图。

图中:1.PCB半环形支架 2.PCB横向支架 3.底座 4.固定螺栓 5.高压二极管 6.均压电阻。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作详细说明:

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