[实用新型]绝缘支撑结构、镀膜装置和沉积装置

权利要求书

1.一种绝缘支撑结构，其特征在于，所述绝缘支撑结构包括支撑主体和套体，所述支撑主体的一侧支撑侧开设有嵌合凹槽，另一侧支撑侧设置有嵌合凸起；

所述套体套设所述支撑主体，所述套体和所述支撑主体之间设置有间隔件，所述间隔件用于连接所述套体与所述支撑主体，并且所述套体与所述支撑主体之间形成具有连通间隙的夹层空间，所述连通间隙用于连通所述夹层空间与所述套体的外部空间。

2.根据权利要求1所述的绝缘支撑结构，其特征在于，在所述绝缘支撑结构的支撑方向上，所述支撑主体和所述套体的至少一个端部相错形成所述连通间隙。

3.根据权利要求1所述的绝缘支撑结构，其特征在于，所述嵌合凸起的高度大于所述嵌合凹槽的深度。

4.根据权利要求1所述的绝缘支撑结构，其特征在于，所述支撑主体和所述套体为分体式结构，所述支撑主体和所述套体之间设置有限位结构，所述限位结构用于限位固定所述套体位于所述支撑主体的位置。

5.一种镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置包括权利要求1-4任一项所述的绝缘支撑结构。

6.一种沉积装置，其特征在于，所述沉积装置包括壳体，所述壳体内间隔交替设置激励电极板以及接地电极板，所述激励电极板和接地电极板之间形成沉积腔，所述激励电极板和/或所述接地电极板用于放置基片；

所述激励电极板和所述接地电极板之间设置有至少一个支撑件，所述激励电极板和所述接地电极板位于所述支撑件处均开设有通孔，所述支撑件包括至少一个权利要求1-4任一项所述的绝缘支撑结构，所述绝缘支撑结构分别设置于所述激励电极板和所述接地电极板之间，所述绝缘支撑结构的所述嵌合凸起穿过所述通孔，并嵌入相邻的所述绝缘支撑结构的所述嵌合凹槽内。

7.根据权利要求6所述的沉积装置，其特征在于，所述激励电极板和/或接地电极板上设置有镂空结构。

8.根据权利要求6所述的沉积装置，其特征在于，所述激励电极板和/或所述接地电极板的至少一侧表面进行钝化处理形成钝化膜。

9.根据权利要求6所述的沉积装置，其特征在于，所述激励电极板的平面尺寸小于所述接地电极板的平面尺寸。

10.根据权利要求6所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置用于制备硅片电池。