[实用新型]微型LED器件及LED显示器

说明书

本实用新型提供了一种微型LED器件及LED显示器，其中，微型LED器件包括：支撑基板，表面配置有导电线路；通过电极固定于支撑基板导电线路表面的发光结构，发光结构包括第一电极区域及第二电极区域，其中，第一电极区域从下至上依次包括：第一电极、第一欧姆接触层及第一GaN层，第一电极于第一欧姆接触层表面配置；第二电极区域从下至上依次包括：第二电极、第二欧姆接触层、第二GaN层、多量子阱层及第一GaN层，第二电极于第二欧姆接触层表面配置；第一电极区域和第二电极区域相交处还包括配置于PN结表面的钝化层及配置于钝化层表面的反射结构或金属遮光层。有效解决LED显示器中微型LED器件之间的光串扰问题。

技术领域

本实用新型涉半导体技术领域，尤其涉及一种微型LED器件及LED显示器。

背景技术

作为新一代显示技术，微米LED显示器(Micro LED Display)以Micro LED为发光像素单元，组装至驱动面板形成LED阵列。由于具备尺寸小、集成度高、自发光等特点，相比传统的LCD、OLED显示技术，其在亮度、对比度、分辨率、能耗、响应速度等方面均具有更大的优势。但是，目前LED显示在高度集成化、高PPI方面仍处于起步阶段，由于Micro LED的超大发光角特性，当显示器中像素密度较大时，会出现像素之间的光串扰问题，在要求较高的应用中这一问题尤为凸显。

实用新型内容

为了克服以上不足，本实用新型提供了一种微型LED器件及LED显示器，有效解决LED显示器中微型LED器件之间的光串扰问题。

本实用新型提供的技术方案为：

一方面，本实用新型提供了一种微型LED器件，包括：

支撑基板，表面配置有导电线路；

通过电极固定于所述支撑基板导电线路表面的发光结构，所述发光结构包括第一电极区域及第二电极区域，其中，

所述第一电极区域从下至上依次包括：第一电极、第一欧姆接触层及第一GaN层，所述第一电极于所述第一欧姆接触层表面配置；

所述第二电极区域从下至上依次包括：第二电极、第二欧姆接触层、第二GaN层、多量子阱层及第一GaN层，所述第二电极于所述第二欧姆接触层表面配置；

所述第一电极区域和第二电极区域相交处还包括配置于PN结表面的钝化层及配置于所述钝化层表面的反射结构或金属遮光层；

所述第一欧姆接触层与第二欧姆接触层之间、第一电极与第二电极之间均通过不导电的介质膜隔开。

优选地，所述反射结构或金属遮光层由第一欧姆接触层自第一电极区域中第一GaN层表面延伸至所述钝化层表面形成。

优选地，所述反射结构或金属遮光层由第二欧姆接触层自第二电极区域中第二GaN层表面延伸至所述钝化层表面形成。

优选地，所述反射结构或金属遮光层于所述钝化层表面，通过不导电的介质膜分别与所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层隔开。

优选地，所述钝化层于第一电极区域和第二电极区域相交处配置于所述第一欧姆接触层与第二欧姆接触层之间；

所述发光结构还包括隔离层，于所述钝化层表面配置；所述反射结构或金属遮光层于所述隔离层表面配置。

优选地，所述第一电极区域还包括于所述第一欧姆接触层表面配置的第一面金属互联层，所述反射结构或金属遮光层由第一面金属互联层自第一欧姆接触层表面延伸至所述隔离层表面形成。

优选地，所述第二电极区域还包括于所述第二欧姆接触层表面配置的第二面金属互联层，所述反射结构或金属遮光层由第二面金属互联层自第二欧姆接触层表面延伸至所述隔离层表面形成。