[实用新型]一种氢氟酸刻蚀硅片的装置有效
申请号: | 202222730812.4 | 申请日: | 2022-10-17 |
公开(公告)号: | CN218385247U | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 夏新中;潘明翠;翟金叶;孟庆超;王红芳;郎芳 | 申请(专利权)人: | 英利能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人: | 赵宝琴 |
地址: | 071051 河北省保定*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氢氟酸 刻蚀 硅片 装置 | ||
1.一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,包括:
酸液槽,用于盛装氢氟酸;
多组滚轮,转动安装在所述酸液槽内,用于传输硅片;所述滚轮的上表面低于氢氟酸的液面;以及
加热丝,安装在所述滚轮上,用于对硅片的下表面进行加热。
2.如权利要求1所述的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,所述滚轮包括:所述滚轮包括壳体以及转轴,所述转轴贯穿所述壳体的轴心设置,所述转轴转动设置在所述酸液槽的侧壁上,所述加热丝设置在所述壳体内部,硅片放置在所述壳体上,随着所述转轴的转动自所述酸液槽的入口端传送至所述酸液槽的出口端,硅片的下端面与氢氟酸接触,氢氟酸对硅片下端面的硼硅玻璃进行腐蚀。
3.如权利要求2所述的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,所述加热丝环绕分布在所述壳体的内壁。
4.如权利要求3所述的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,所述加热丝呈螺旋状。
5.如权利要求4所述的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,还包括外部电源,所述外部电源固定安装在转轴上,所述外部电源连接所述加热丝,用于为所述加热丝提供电能。
6.如权利要求5所述的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,所述外部电源位于所述酸液槽的外部。
7.如权利要求2所述的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,所述转轴与所述壳体之间通过支撑连杆连接,所述支撑连杆沿所述转轴的径向设置。
8.如权利要求2所述的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,还包括驱动电机,所述驱动电机固定安装在所述酸液槽的侧壁,所述驱动电机用于驱动所述转轴转动。
9.如权利要求8所述的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,所述驱动电机与所述转轴通过齿轮传动。
10.如权利要求2所述的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,其特征在于,所述壳体由聚四氟乙烯材质制作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的