[实用新型]阵列基板及显示面板有效
| 申请号: | 202222636126.0 | 申请日: | 2022-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN218548441U | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
| 发明(设计)人: | 龙时宇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H10K59/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 谢璐 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本申请公开一种阵列基板及显示面板,其中阵列基板包括:基板;有源层,有源层设在基板上;第一绝缘层设在有源层远离基板的一侧;第一减反射膜层设在第一绝缘层远离基板的一侧;第二绝缘层设在第一减反射膜层远离基板的一侧;源极设在第二绝缘层远离基板的一侧,源极包括相连接的第一电极部和第二电极部,第一电极部通过第一绝缘层和第二绝缘层上的过孔与有源层电连接;漏极设在第二绝缘层远离基板的一侧,漏极包括相连接的第三电极部和第四电极部,第三电极部通过第一绝缘层和第二绝缘层上的过孔与有源层电连接;第二电极部和第四电极部中的至少一者在基板的正投影与第一减反射膜层在基板的正投影相重叠。本申请改善显示面板的信号串扰问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着5G通信技术的发展,虚拟现实技术(英文名称:Virtual Reality,简称:VR)内容以及硬件等的提升,VR技术正处于高速发展期,而VR技术对显示面板的像素密度要求非常高(具体地要求显示面板的像素密度大于1000),但是现有像素密度大于1000的显示面板存在严重的信号串扰,特别是显示面板的TFT器件产生的光生漏电流会导致信号串扰,从而影响显示面板的显示效果。有鉴于此,有必要解决高像素密度的显示面板的信号串扰问题。
实用新型内容
本申请提供一种阵列基板及显示面板,以改善高像素密度的显示面板的信号串扰问题。
本申请提供一种阵列基板,其包括:
基板;
有源层,所述有源层设在所述基板上;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设在所述有源层远离所述基板的一侧;
第一减反射膜层,所述第一减反射膜层设在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设在所述第一减反射膜层远离所述基板的一侧;
源极,所述源极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧,所述源极包括相连接的第一电极部和第二电极部,所述第一电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接;
漏极,所述漏极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧,所述漏极包括相连接的第三电极部和第四电极部,所述第三电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接;其中,
所述第二电极部和所述第四电极部中的至少一者在所述基板的正投影与所述第一减反射膜层在所述基板的正投影相重叠。
可选的,在本申请一些实施例中,所述有源层包括依次相连接的第一连接部、导电沟道和第二连接部,所述第一电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述第一连接部电连接,所述第三电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述第二连接部电连接;
其中,所述导电沟道在所述基板的正投影与所述第一减反射膜层在所述基板的正投影相重叠。
可选的,在本申请一些实施例中,所述阵列基板还包括:
遮光电极,所述遮光电极设在所述基板上;
缓冲层,所述缓冲层设在所述遮光电极远离所述基板的一侧,所述有源层设在所述缓冲层远离所述基板的一侧,所述遮光电极在所述基板的正投影与所述导电沟道在所述基板的正投影相重叠。
可选的,在本申请一些实施例中,所述有源层在所述基板的正投影覆盖所述遮光电极在所述基板的正投影;
所述阵列基板还包括:
第二减反射膜层,所述第二减反射膜层设在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222636126.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多孔丝油剂的调配装置
- 下一篇:电池硅片薄膜沉积设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





