[实用新型]阵列基板及显示面板有效
| 申请号: | 202222636126.0 | 申请日: | 2022-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN218548441U | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
| 发明(设计)人: | 龙时宇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H10K59/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 谢璐 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
有源层,所述有源层设在所述基板上;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设在所述有源层远离所述基板的一侧;
第一减反射膜层,所述第一减反射膜层设在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设在所述第一减反射膜层远离所述基板的一侧;
源极,所述源极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧,所述源极包括相连接的第一电极部和第二电极部,所述第一电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接;
漏极,所述漏极设在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧,所述漏极包括相连接的第三电极部和第四电极部,所述第三电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述有源层电连接;其中,
所述第二电极部和所述第四电极部中的至少一者在所述基板的正投影与所述第一减反射膜层在所述基板的正投影相重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括依次相连接的第一连接部、导电沟道和第二连接部,所述第一电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述第一连接部电连接,所述第三电极部通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述第二连接部电连接;
其中,所述导电沟道在所述基板的正投影与所述第一减反射膜层在所述基板的正投影相重叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
遮光电极,所述遮光电极设在所述基板上;
缓冲层,所述缓冲层设在所述遮光电极远离所述基板的一侧,所述有源层设在所述缓冲层远离所述基板的一侧,所述遮光电极在所述基板的正投影与所述导电沟道在所述基板的正投影相重叠。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层在所述基板的正投影覆盖所述遮光电极在所述基板的正投影;
所述阵列基板还包括:
第二减反射膜层,所述第二减反射膜层设在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧;
栅电极,所述栅电极设在所述第二减反射膜层远离所述基板的一侧,所述第二减反射膜层在所述基板的正投影覆盖所述栅电极在所述基板的正投影;
层间介质层,所述层间介质层设在所述栅电极远离所述基板的一侧,所述第一减反射膜层设在所述层间介质层远离所述基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二减反射膜层为金属氧化物层。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光电极在所述基板的正投影覆盖所述有源层在所述基板的正投影;
所述阵列基板还包括:
第三减反射膜层,所述第三减反射膜层设在所述遮光电极远离所述基板的一侧,所述缓冲层设在第三减反射膜层远离所述基板的一侧,所述第三减反射膜层在所述基板的正投影覆盖所述有源层在所述基板的正投影;
所述缓冲层设在所述第三减反射膜层远离所述基板的一侧。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第一金属层,所述第一金属层设在所述第二绝缘层上,所述第一金属层包括所述源极和所述漏极。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第三绝缘层,所述第三绝缘层设在所述源极远离所述基板的一侧,所述漏极设在所述第三绝缘层远离所述基板的一侧。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一减反射膜层为金属氧化物层。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至9任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





