[实用新型]一种增强型功率模块及功率模组

说明书

一种增强型功率模块，包括：绝缘基板、第一桥臂图案化线路层、第二桥臂图案化线路层、第一桥臂功率芯片、第二桥臂功率芯片、第一功率电极、第二功率电极、输出电极、第一桥臂控制电极、第二桥臂控制电极、第一桥臂导电桥、第二桥臂导电桥；第一桥臂功率芯片设置于第一桥臂图案化线路层上，第二桥臂功率芯片设置于第二桥臂图案化线路层上，第一桥臂导电桥架设于第一桥臂功率芯片上方，第二桥臂导电桥架设于第二桥臂功率芯片上方；第一桥臂功率芯片分别与第一功率电极、输出电极、第一桥臂控制电极电连接；第二桥臂功率芯片分别与第二功率电极、第二桥臂控制电极和输出电极电连接。与现有技术相比，进一步加大模块功率密度，轻薄可靠。

技术领域

本实用新型涉及电力电子领域，具体涉及一种增强型功率模块及功率模组。

背景技术

功率模块是功率电子电力器件如金属氧化物半导体（功率MOS管）、绝缘栅型场效应晶体管（IGBT），快恢复二极管（FRD）按一定的功能组合封装成的电力开关模块，其主要用于电动汽车，风力发电，工业变频等各种场合下的功率转换。

电动汽车的电机驱动电路通常包括三组分别具有上下桥臂的功率模块，图1为现有的一种功率模块的电路示意图，其示出的是一组具有上下桥臂的功率模块的电路示意图，其包括：作为上桥臂的绝缘栅型场效应晶体管Z1，以及与其反向并联的快恢复二极管D1，作为下桥臂的绝缘栅型场效应晶体管Z2，以及与其反向并联的快恢复二极管D2，其中绝缘栅型场效应晶体管Z1的集电极连接功率模块的正极p+，其发射极连接缘栅型场效应晶体管Z2的集电极，缘栅型场效应晶体管Z2的发射极连接功率模块的负极p-，绝缘栅型场效应晶体管Z1的发射极和Z2的集电极共同连接功率模块的输出端子。在实际应用中，通常使用三组该功率模块来为电机提供三相交流电；在此仅以一组功率模块的电路示意图来说明其工作原理：当绝缘栅型场效应晶体管Z1接通时，电流依次经功率模块的正极p+、绝缘栅型场效应晶体管Z1的集电极、发射极、功率模块输出端子OUTPUT输出至电机；当绝缘栅型场效应晶体管Z1关断时，由于电机为感性负载，为保证电流流向不变，续流电流需经其它组的功率模块经该功率模块的负极p-、二极管D2、功率模块输出端子OUTPUT输出至电机。

在某些较小功率的应用下，功率模块中的电子器件也可以采用功率MOS管，图2是另一种功率MOS管模块的电路示意图，其包括：作为上桥臂的功率MOS管M1、作为下桥臂的功率MOS管M2、其中功率MOS管M1的漏极连接功率模块的正极p+，功率MOS管M1的源极连接功率MOS管M2的漏极，功率MOS管M2的源极连接功率模块的负极p-，功率MOS管M1的源极和功率MOS管M2的漏极共同连接接功率模块的输出端子，其工作原理与采用绝缘栅型场效应晶体管的模块类似，其两者之间的区别主要在于功率MOS管内置反向二极管，因此不需要并联反向二极管。另外，逆导型IGBT与功率MOS有相同的结构和功能，由于内置二极管，不需反向并联二极管，模块设计及结构与功率MOS相似，在此不再赘述。

功率模块通常包含至少一个半桥结构，该半桥结构由两个桥臂以及用以为功率模块传导电流的第一功率电极、第二功率电极、输出电极组合而成，第一功率电极、第二功率电极以及输出电极与功率模块内相应的导电层连接，以实现半桥电路功能；在实际应用中，布局布线是功率模块的首要问题，降低寄生电感和优化直流通道一直以来都是功率电子器件应用中需要克服的主要难题，尤其是在高频和大功率的应用场合。模块内部的寄生电感会造成关断过程中的过电压，寄生参数会造成功率模块开关过程中的波形震荡，从而增加了电磁干扰和开关损耗，直流通道太窄会造成大的直流损耗。

发明内容