[实用新型]太阳能电池

说明书

本实用新型涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池，包括：在硅片基底上依次层叠设置的隧穿氧化层、纳米晶硅层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层包括重掺杂区域和重掺杂区域以外的轻掺杂区域，重掺杂区域用于设置金属栅线。本实用新型用以解决现有技术中对硅片基底造成损伤，不利于提高电池效率的缺陷，通过设置具有重掺杂区域的掺杂多晶硅层，避免在硅片基底内设置重掺杂区域，减少对硅片基底的损伤，同时提升钝化效果，有利于提高电池效率。

技术领域

本实用新型涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池。

背景技术

随着光伏技术的快速发展，人们对高效太阳能电池的需求越来越迫切。通过选择性掺杂制备太阳能电池是提高电池效率的有效方法。通过选择性掺杂制备太阳能电池是指在硅片表面的金属接触区域进行重掺杂，降低电池的接触电阻，同时在硅片表面的非金属接触区域进行轻掺杂，提高电池的光谱响应和降低电池中光生载流子的复合。

目前，通过选择性掺杂制备的太阳能电池主要是在硅片基底内形成重掺杂区域，将硅片基底作为选择性掺杂结构，对硅片基底造成损伤，不利于提高电池效率。

实用新型内容

本实用新型提供一种太阳能电池，用以解决现有技术中对硅片基底造成损伤，不利于提高电池效率的缺陷，实现避免对硅片基底造成损伤的同时，提升钝化效果，有利于提高电池效率。

本实用新型提供一种太阳能电池，包括：在硅片基底上依次层叠设置的隧穿氧化层、纳米晶硅层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层包括重掺杂区域和所述重掺杂区域以外的轻掺杂区域，所述重掺杂区域用于设置金属栅线。

根据本实用新型提供的一种太阳能电池，所述纳米晶硅层为掺杂纳米晶硅层。

根据本实用新型提供的一种太阳能电池，所述硅片基底的掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂。

根据本实用新型提供的一种太阳能电池，所述掺杂多晶硅层的掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂。

根据本实用新型提供的一种太阳能电池，所述隧穿氧化层的材质包括氧化硅，所述隧穿氧化层的厚度为1～3纳米。

根据本实用新型提供的一种太阳能电池，所述隧穿氧化层、所述纳米晶硅层和所述掺杂多晶硅层设置在所述硅片基底的正面或背面中的至少一面。

根据本实用新型提供的一种太阳能电池，所述隧穿氧化层、所述纳米晶硅层和所述掺杂多晶硅层设置在所述硅片基底的正面，所述掺杂多晶硅层的表面依次层叠设置有钝化层、正面减反射层和正面电极，所述硅片基底的背面依次层叠设置有背面钝化接触结构、背面减反射层和背面电极。

根据本实用新型提供的一种太阳能电池，所述隧穿氧化层、所述纳米晶硅层和所述掺杂多晶硅层设置在所述硅片基底的背面，所述掺杂多晶硅层的表面依次层叠设置有背面减反射层和背面电极，所述硅片基底的正面依次层叠设置有掺杂层、钝化层、正面减反射层和正面电极。

根据本实用新型提供的一种太阳能电池，所述钝化层包括层叠设置的氧化硅层和氧化铝层。

根据本实用新型提供的一种太阳能电池，所述正面减反射层和所述背面减反射层均为氮化硅层。

本实用新型提供的太阳能电池，包括在硅片基底上依次层叠设置的隧穿氧化层、纳米晶硅层和掺杂多晶硅层，其中，隧穿氧化层能够提高硅片基底表面的钝化效果，纳米晶硅层具有更低的消光系数，显著降低对光的吸收，降低光学吸收损耗；掺杂多晶硅层包括重掺杂区域和轻掺杂区域，具有选择性掺杂效果，在掺杂多晶硅层上设置重掺杂区域，避免了对硅片基底的损伤，此外，重掺杂区域用于设置金属栅线，对应于硅片基底的金属接触区域，能够有效降低接触电阻，提升填充因子，重掺杂区域以外的轻掺杂区域对应于硅片基底的非金属接触区域，具有良好的钝化接触效果，有利于提高电池效率。

附图说明